10G-EPON用APDの開発(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
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概要
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我々は、10G-EPON ONU用受光素子として、モジュール作製時の光結合が容易な大受光径(φ40μm)の表面入射型AlInAsアバランシェフォトダイオード(APD)を開発した。今回、多層反射膜、空乏層厚等の構造最適化により、入射光波長1575〜1580nmで0.95A/W程度の非常に良好な受光感度と、増倍率M=10で帯域7.4GHzの十分な周波数特性を実現した。
- 2011-06-23
著者
-
石村 栄太郎
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
中路 雅晴
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
杉立 厚志
三菱電機(株)
-
杉立 厚志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
庵原 晋
三菱電機(株)高周波デバイス製作所
-
佐久間 仁
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
笹畑 圭史
三菱電機株式会社
-
鈴木 大輔
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
石村 栄太郎
三菱電機株式会社
-
中路 雅晴
三菱電機株式会社
-
杉立 厚志
三菱電機株式会社:技術振研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
佐久間 仁
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
鈴木 大輔
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
鈴木 大輔
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
庵原 晋
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
國次 恭宏
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
笹畑 圭史
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
山路 和樹
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
菊地 真人武
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
笹畑 圭史
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
鈴木 大輔
三菱電機(株) 高周波光デバイス製作所
-
中路 雅晴
三菱電機(株) 高周波光デバイス製作所
-
菊地 真人武
三菱電機(株) 高周波光デバイス製作所
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