多層反射膜/半絶縁性InP窓層プレーナ型PDの低歪特性
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概要
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InGaAs-PDを広帯域化するためには、InGaAs吸収層を薄膜化してキャリアの走行時間を低減する必要がある。しかし、吸収層を薄膜化すると、感度は低下し接合容量は増加してしまう。我々は、感度改善用多層反射膜と容量低減用半絶縁性InP窓層を用いたInGaA-PDを試作し、1.15A/W(@1.55μm)の高感度と20GHzの広帯域(@受光径20μm)特性を報告した。今回、本構造のPDについて、1.3μm波長での変調歪特性を測定し、優れた低歪特性が得られたので報告する。
- 1996-03-11
著者
-
石村 栄太郎
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
青柳 利隆
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
竹見 政義
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
松本 啓資
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
竹見 政義
三菱電機(株)
-
樋口 英世
大阪電気通信大学大学院工学研究科
-
瀧口 透
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
瀧口 透
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
松本 啓資
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
木村 達也
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
青柳 利隆
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
松本 啓資
財団法人 光産業技術振興協会:三菱電機株式会社
-
樋口 英世
三菱電機
-
樋口 英世
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
松本 啓資
三菱電機株式会社
-
船場 真司
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
木村 達也
三菱電機
-
瀧口 透
三菱電機
-
木村 達也
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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