低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
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概要
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1.3μm帯AlGalnAs系埋込型DFBレーザにて,p-InP基板を用いたパッシブ導波路集積型短共振器構造とすることで,100GbE規格LAN-WDMを想定した50℃動作にて,4波長共に高効率で均一な特性が得られ,低動作電流25.8Gbps直接変調で大きなマスクマージンと良好な伝送特性を実現し,LR-4規格への適用を可能とした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-12-10
著者
-
石村 栄太郎
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
綿谷 力
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
石村 栄太郎
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
青柳 利隆
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
綿谷 力
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
島 顕洋
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
瀧口 透
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
瀧口 透
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所開発部
-
石川 高英
三菱電機
-
石川 高英
三菱電機株式会社
-
佐久間 仁
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
青柳 利隆
三菱電機株式会社
-
青柳 利隆
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
石川 高英
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
島 顕洋
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
青柳 利隆
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
境野 剛
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
鈴木 大輔
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
柳楽 崇
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
石村 栄太郎
三菱電機株式会社
-
島 顕洋
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
石川 高英
三菱電機(株)情報電子研究所光・電波機器開発室
-
佐久間 仁
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
鈴木 大輔
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
鈴木 大輔
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
島 顕洋
三菱電機株式会社
-
外間 洋平
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
青柳 利隆
三菱電機(株)高周波デバイス製作所開発部
-
境野 剛
三菱電機株式会社高周波デバイス製作所
-
瀧口 透
三菱電機
-
鈴木 大輔
三菱電機(株) 高周波光デバイス製作所
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