石川 高英 | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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概要
関連著者
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石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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石川 高英
三菱電機株式会社
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石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所開発部
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石川 高英
三菱電機
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石川 高英
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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青柳 利隆
三菱電機株式会社
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石川 高英
三菱電機(株)情報電子研究所光・電波機器開発室
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青柳 利隆
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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石村 栄太郎
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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奥 友希
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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井上 晃
三菱電機株式会社
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青柳 利隆
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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綿谷 力
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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後藤 清毅
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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中路 雅晴
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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石川 高英
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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中路 雅晴
三菱電機株式会社
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青柳 利隆
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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国井 徹郎
三菱電機株式会社
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後藤 清毅
三菱電機株式会社
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石村 栄太郎
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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國井 徹郎
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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國井 徹郎
三菱電機株式会社
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綿谷 力
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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國井 徹郎
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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青柳 利隆
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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大和屋 武
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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天清 宗山
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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天清 宗山
三菱電機株式会社
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斎藤 健
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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森田 佳道
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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加藤 隆幸
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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加藤 隆幸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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加藤 隆幸
三菱電機株式会社
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佐々木 善伸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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大和屋 武
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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佐々木 善伸
三菱電機株式会社
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佐々木 善伸
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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石田 多華生
三菱電機株式会社
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柳生 栄治
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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柳生 栄治
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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庵原 晋
三菱電機(株)高周波デバイス製作所
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石村 栄太郎
三菱電機株式会社
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綿谷 力
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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柳生 栄治
三菱電機
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柏 卓夫
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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三井 康郎
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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吉新 喜市
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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柏 卓夫
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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柏 卓夫
三菱電機株式会社
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三井 康郎
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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松田 吉雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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松田 吉雄
三菱電機株式会社 システムlsi事業化推進センター
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森田 佳道
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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森田 佳道
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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吉新 喜市
三菱電機先端技術総合研究所
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吉新 喜市
三菱電機
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石田 多華生
三菱電機
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石田 多華生
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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斎藤 健
三菱電機株式会社
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加藤 隆幸
三菱電機
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太田 徹
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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渡辺 伸介
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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松塚 隆之
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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塚原 良洋
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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塚原 良洋
三菱電機株式会社
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塚原 良洋
三菱電機 高周波光デバイス製作所
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吉田 直人
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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河野 正基
三菱電機株式会社
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志賀 俊彦
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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見上 洋平
三菱電機(株)高周波デバイス製作所
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志賀 俊彦
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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中山 喜萬
大阪府立大学工学部電子物理工学科
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松田 吉雄
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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宮國 晋一
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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宮国 晋一
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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宮國 晋一
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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吉田 直人
三菱電機高周波光デバイス製作所
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吉田 直人
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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吉田 直人
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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塚原 良洋
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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中山 喜萬
大阪大学大学院 工学研究科
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中山 喜萬
大阪府立大学工学部物理工学科
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大植 利和
株式会社 Wave Technology
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河野 正基
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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小丸 真喜雄
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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小丸 真喜雄
三菱電機高周波光デバイス製作所
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小丸 真喜雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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小丸 真喜雄
三菱電機株式会社
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柳楽 崇
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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大植 利和
株式会社Wave Technology
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斉藤 健
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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斎藤 健
三菱電機株式会社:技術振研究組合光電子融合基盤技術研究所
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板倉 成孝
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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酒井 清秀
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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板倉 成孝
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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酒井 清秀
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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辻 聖一
三菱電機株式会社
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藤井 憲一
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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宮國 晋一
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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宇土元 純一
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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竹村 亮太
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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太田 彰
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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徳田 安紀
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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宇土元 純一
三菱電機高周波光デバイス製作所
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佐久間 仁
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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太田 彰
三菱電機株式会社
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細木 健治
三菱電機株式会社
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細川 義弘
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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山本 佳嗣
三菱電機株式会社
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細木 健治
三菱電気株式会社光マイクロ波デバイス開発研究所
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山本 佳嗣
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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細木 健治
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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辻 聖一
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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鈴木 大輔
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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藤井 憲一
三菱電機株式会社
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徳田 安紀
三菱電機 先端技術総合研
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小崎 克也
三菱電機株式会社
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奥田 康典
三菱電機株式会社
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川埜 肇
三菱電機株式会社
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酒井 清秀
三菱電機株式会社
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綿谷 力
光素子部
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佐久間 仁
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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鈴木 大輔
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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宮崎 泰典
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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三須 幸一郎
三菱電機(株)
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三須 幸一郎
三菱電機株式会社
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山田 朗
三菱電機株式会社
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前田 智佐子
三菱電機株式会社
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後藤 清穀
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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山本 和也
三菱電機株式会社
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北野 俊明
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社
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南條 拓真
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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山本 和也
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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瀧口 透
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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瀧口 透
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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藤本 慎一
三菱電機株式会社
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阪本 進
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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中塚 茂典
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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宮崎 泰典
三菱電機株式会社
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戸塚 正裕
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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宮国 晋一
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
山本 佳嗣
三菱電機高周波光素子事業統括部
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鈴木 大輔
三菱電機(株)高周波光素子事業部光素子開発部
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大石 敏之
三菱電機株式会社
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中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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大石 敏之
三菱電機(株)
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阪本 進
三菱電機株式会社
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巳浪 裕之
三菱電機株式会社
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竹内 日出雄
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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島田 好治
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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巳浪 裕之
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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南條 拓真
三菱電機
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井澤 薫
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機株式会社
-
三井 康郎
三菱電機
-
北野 俊明
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
島田 好治
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
竹内 日出雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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宮崎 泰典
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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永塚 勉
三菱電機株式会社
-
岡田 規男
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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高木 直
三菱電機株式会社
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高木 直
三菱電機
-
久留須 整
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
鈴木 敏
三菱電機
-
川上 憲司
三菱電機株式会社
-
金谷 康
三菱電機株式会社
-
鈴木 敏
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
星 裕之
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
久留須 整
三菱電機株式会社光マイクロ波統括事業部
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日坂 隆行
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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島 顕洋
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
星 裕之
三菱電機株式会社
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星 裕之
神奈川大学工学部
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長明 健一郎
三菱電機株式会社
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鈴木 敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
松田 慎吾
三菱電機株式会社
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笹畑 圭史
三菱電機株式会社
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岡田 規男
高周波光デバイス製作所
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上田 和弘
株式会社サンエー
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島 顕洋
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
鈴木 敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
境野 剛
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
永塚 勉
三菱電機
-
瀧口 透
三菱電機株式会社
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國井 徹朗
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
井澤 薫
株式会社サンエー
-
島 顕洋
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
日坂 隆行
三菱電機株式会社
-
日坂 隆行
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
境野 剛
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
柳楽 崇
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
岡田 規男
三菱電機株式会社
著作論文
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティInGaAs pin PD(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティInGaAs pin PD(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD (光エレクトロニクス)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD (フォトニックネットワーク)
- C-4-25 100Gb/sイーサネット用1.3μm帯25Gb/s EA変調器集積DFB-LD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-3 引張り歪非対称量子井戸構造43Gbit/sEA変調器集積DFB-LDの40℃動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-25 11.1Gbps-80km伝送用セミクールドEAM-LD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 基本波および高調波終端負荷を最適化した低位相雑音77GHz MMIC VCO(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-2-6 高調波負荷整合回路付きW帯2倍波取り出し型発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 高調波負荷を最適化したW帯2倍波高出力発振器
- Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-9 2.5Gbps光通信用ガードリングフリーAlInAs APD(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 1.4W, K帯小型モノリシック電力増幅器
- V帯ドレイン注入 : レジスティブデュアルモードモノリシックミクサ
- V帯ドレイン注入/レジスティブデュアルモードモノリシックミクサ
- レジスティブミクサの動作解析
- C-2-12 レジスティブミクサの動作解析
- 副共振器を用いたKa帯高出力モノリシックHEMT電圧制御発振器
- C-4-20 40Gbps DQPSK光通信用表面入射型ツインPD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-18 10G-EPON用L帯高出力EA変調器集積DFB-LD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-2-36 F級及び逆F級HBT電力増幅器におけるIM3解析(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- F級及び逆F級高周波増幅器の効率に関する研究(マイクロ波,ミリ波)
- C-10-4 HBT を用いた携帯電話用高効率増幅器における入力高調波整合の効果
- V帯ドレイン注入/レジスティブデュアルモードモノリシックミクサ
- レジスティブミクサの動作解析
- Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
- Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
- ミリ波帯高出力・高耐圧pHEMT : 非線形ドレイン抵抗低減による出力・耐圧の両立(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25 / 43Gbps EA変調器付DFB-LD
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変換器付DFB-LD(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティ InGaAs pin PD
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET
- GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET
- 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル
- 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル
- C-10-4 GaAs基板上に高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-2 高効率高電圧動作バランス型カスコードFET(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- C-2-8 F級及び逆F級増幅器を合成したDoherty増幅器の設計・試作(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- 埋め込みPHS構造FETを用いたX帯高出力MMIC増幅器
- 埋め込みPHS構造FETを用いたX帯高出力MMIC増幅器
- 埋め込みPHS構造FETを用いたX帯高出力MMIC増幅器
- Ka帯低雑音MMIC増幅器
- 高調波負荷を最適化した高出力低位相雑音76GHz MMIC発振器(電子回路)
- 高調波負荷を最適化したKa帯2倍波発振器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-2-9 高調波負荷整合回路付きKa帯2倍波取り出し型発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-3 94GHz 帯4逓倍型ハーモニックミキサMMIC
- 圧電体の面積を縮小したGHz帯薄膜バルク超音波フィルタ
- チタン酸鉛を用いた薄膜バルク超音波フィルタ
- 60GHz帯高アイソレーションSPDT MMICスイッチ(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 単一電源動作K帯低雑音MMIC増幅器
- 40Gbps光通信用導波路型PD
- 40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 40Gbps光通信用導波路型PD
- CS-6-3 アンクールドAlGaInAs系レーザの進展(CS-6.情報通信分野における省エネルギー光デバイスの現状と将来,シンポジウムセッション)
- Ka帯低雑音増幅器MMIC
- CS-3-2 アンクールドAlGaInAs系レーザの今後の展開(CS-3. 高機能・低コスト化が進むメトロ・アクセス用光部品の最新動向, エレクトロニクス1)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD
- 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガーFETの安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガーFETの安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-11 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガー FET の安定化
- 低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)