金谷 康 | 三菱電機株式会社
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概要
関連著者
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金谷 康
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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小坂 尚希
三菱電機株式会社
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井上 晃
三菱電機株式会社
-
平野 嘉仁
三菱電機株式会社
-
垂井 幸宣
三菱電機株式会社
-
山中 宏治
三菱電機株式会社
-
内田 浩光
三菱電機株式会社
-
能登 一二三
三菱電機株式会社
-
野上 洋一
三菱電機株式会社
-
檜枝 護重
三菱電機株式会社
-
垂井 幸宣
三菱電機株式会社鎌倉製作所
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垂井 幸宣
三菱電機株式会社 鎌倉製作所
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内田 浩光
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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平野 嘉仁
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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川上 憲司
三菱電機株式会社
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井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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山中 宏治
三菱電機 情報技総研
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中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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Noto Hifumi
Information Technology R&d Center
-
平野 嘉仁
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
能登 一二三
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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宮口 賢一
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
宮口 賢一
三菱電機
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湯川 秀憲
三菱電機株式会社
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松田 吉雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
松田 吉雄
三菱電機株式会社 システムlsi事業化推進センター
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宮口 賢一
三菱電機株式会社
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高木 直
三菱電機株式会社
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小丸 真喜雄
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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笠原 通明
三菱電機株式会社
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小丸 真喜雄
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社
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湯川 秀範
三菱電機株式会社
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斎藤 啓樹
三菱電機株式会社
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天清 宗山
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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後藤 清毅
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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宮國 晋一
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
日坂 隆行
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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檜枝 護重
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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畑本 幹夫
三菱電機株式会社
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山本 佳嗣
三菱電機株式会社
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山本 佳嗣
三菱電機高周波光素子事業統括部
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山本 佳嗣
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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宮國 晋一
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
宮国 晋一
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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宮國 晋一
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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天清 宗山
三菱電機株式会社
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半野 嘉仁
三菱電機株式会社
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島 顕洋
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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日坂 隆行
三菱電機株式会社
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日坂 隆行
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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後藤 清毅
三菱電機株式会社
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平野 嘉仁
三菱電機 先端技総研
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島 顕洋
三菱電機株式会社
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宮國 晋一
三菱電機株式会社
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平野 嘉仁
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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川上 憲司
慈恵医大放射線科
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大橋 英征
三菱電機株式会社
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川上 憲司
東京慈恵会医科大学放射線科
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川上 憲司
慈大放科
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鈴木 拓也
三菱電機株式会社
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北村 洋一
三菱電機株式会社
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加藤 隆幸
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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石崎 光範
三菱電機株式会社 生産技術センター
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新居 眞敏
三菱電機株式会社
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加藤 隆幸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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加藤 隆幸
三菱電機株式会社
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相原 育貴
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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水越 猛夫
株式会社KDL
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加古 裕二
株式会社KDL
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鈴木 拓也
東北薬科大学微生物学教室
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加藤 隆幸
三菱電機
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山本 桂嗣
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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鈴木 拓也
関西大学システム理工学部
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西野 有
三菱電機株式会社
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津留 正臣
三菱電機株式会社
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井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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宮崎 守泰
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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渡辺 伸介
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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石田 修己
韓国情報通信大学工学部
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水谷 浩之
三菱電機株式会社
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西田 和広
三菱電機株式会社
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河野 正基
三菱電機株式会社
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野上 洋一
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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石田 修己
三菱電機株式会社
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西野 有
三菱電機情報技術総合研究所
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島 顕洋
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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吉田 幸久
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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石田 修己
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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吉田 幸久
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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飯田 明夫
三菱電機株式会社
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吉田 幸久
三菱電機(株)
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石川 高英
三菱電機株式会社
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阪本 進
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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山中 宏治
三菱電機
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飯田 明夫
三菱電機
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濱口 恒夫
三菱電機株式会社
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内田 浩光
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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宮崎 守泰
三菱電機株式会社
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能登 一二三
三菱電機(株)
-
茶木 伸
三菱電機株式会社
-
阪本 進
三菱電機株式会社
-
濱口 恒夫
三菱電機(株)生産技術センター
-
水越 猛夫
株式会社 KDL
-
加古 裕二
株式会社 KDL
-
河野 正基
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
茶木 伸
三菱電機
-
渡辺 伸介
三菱電機株式会社
-
吉田 幸久
三菱電機株式会社
-
Yamanaka Koji
Information Technology R&d Center
-
Inoue Akira
Information Technology R&d Center
-
井上 晃
Information Technology R&d Center
-
中山 正敏
三菱電機
著作論文
- フリップチップ実装を用いたミリ波帯ディスクリートミクサ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-2-7 直列/並列 LC 回路装荷 6-18GHz 帯5ビット移相器MMIC
- 直列/並列LC回路装荷6-18GHz帯5ビット移相器MMIC
- C-2-30 フリップチップ実装を用いた広帯域反射型移相器の検討
- C-2-31 MEMS技術を用いたキャビティ構造Si基板へフリップチップ実装したW帯ミクサ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),エレクトロニクス1,一般講演,2006年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会)
- 直列/並列LC回路装荷6-18GHz帯5ビット移相器MMIC
- フリップチップ実装を用いたミリ波帯ディスクリートミクサ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-2-8 反射性移相回路 MMIC 実装型マルチチップ移相器
- 76GHz帯ミリ波レーダー用低雑音ハーモニックミキサMMIC(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- 76GHz帯ミリ波レーダー用低雑音ハーモニックミキサMMIC(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- C-2-57 ミリ波帯RFプローブパッド構造の検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
- C-2-3 94GHz 帯4逓倍型ハーモニックミキサMMIC
- 6-18GHz帯GaAs-MMIC広帯域低雑音増幅器(光・電波ワークショップ)
- 6-18GHz帯GaAs-MMIC広帯域低雑音増幅器(光・電波ワークショップ)
- 6-18GHz帯GaAs-MMIC広帯域低雑音増幅器(光・電波ワークショップ)
- 6-18GHz帯GaAs-MMIC広帯域低雑音増幅器(光・電波ワークショップ)
- 94GHz帯4逓倍型ハーモニックミキサMMIC
- 94GHz帯4逓倍型ハーモニックミキサMMIC
- C-2-1 6-18GHz帯GaAs-MMIC広帯域低雑音増幅器
- 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT
- 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- S帯170W/70%パーシャル整合 GaN HEMT 高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化
- C-2-28 S帯170W/70%パーシャル整合GaN on Si高効率高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- S帯170W/70%パーシャル整合 GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化
- S帯170W/70%パーシャル整合 GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化