S帯170W/70%パーシャル整合 GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化
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概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-07-19
著者
-
平野 嘉仁
三菱電機株式会社
-
金谷 康
三菱電機株式会社
-
井上 晃
三菱電機株式会社
-
山中 宏治
三菱電機株式会社
-
内田 浩光
三菱電機株式会社
-
能登 一二三
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機株式会社
-
小坂 尚希
三菱電機株式会社
-
野上 洋一
三菱電機株式会社
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