小坂 尚希 | 三菱電機株式会社

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概要

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• 小坂 尚希

  三菱電機株式会社

• 金谷 康

  三菱電機株式会社

• 山中 宏治

  三菱電機株式会社

• 中山 正敏

  三菱電機株式会社

• 平野 嘉仁

  三菱電機株式会社

• 内田 浩光

  三菱電機株式会社

• 井上 晃

  三菱電機株式会社

• 山中 宏治

  三菱電機 情報技総研

• 能登 一二三

  三菱電機株式会社

• 野上 洋一

  三菱電機株式会社

• 内田 浩光

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 平野 嘉仁

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 中山 正敏

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 中山 正敏

  三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所

• Noto Hifumi

  Information Technology R&d Center

• 平野 嘉仁

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 能登 一二三

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 井上 晃

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 半野 嘉仁

  三菱電機株式会社

• 平野 嘉仁

  三菱電機 先端技総研

• 平野 嘉仁

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 天清 宗山

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 後藤 清毅

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 宮國 晋一

  三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 山本 佳嗣

  三菱電機株式会社

• 山本 佳嗣

  三菱電機高周波光素子事業統括部

• 山本 佳嗣

  三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 宮國 晋一

  三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所

• 宮国 晋一

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 宮國 晋一

  三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 天清 宗山

  三菱電機株式会社

• 島 顕洋

  三菱電機(株)高周波光デバイス製作所

• 後藤 清毅

  三菱電機株式会社

• 島 顕洋

  三菱電機株式会社

• 宮國 晋一

  三菱電機株式会社

• 大石 敏之

  三菱電機株式会社

• 大塚 浩志

  三菱電機株式会社

• 山本 桂嗣

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 大石 敏之

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 山中 宏治

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 桑田 英悟

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 渡辺 伸介

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 野上 洋一

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 島 顕洋

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 加茂 宣卓

  三菱電機株式会社

• 山中 宏治

  三菱電機

• 内田 浩光

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 能登 一二三

  三菱電機(株)

• 桑田 英悟

  三菱電機株式会社

• 大石 敏之

  三菱電機(株)

• 渡辺 伸介

  三菱電機株式会社

• Yamanaka Koji

  Information Technology R&d Center

• 中山 正敏

  三菱電機

• 吉岡 貴章

  三菱電機株式会社 高周波・光デバイス製作所

• 山崎 貴嗣

  三菱電機株式会社

• 吉岡 貴章

  三菱電機株式会社

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著作論文

• 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT
• 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化 (光エレクトロニクス)
• S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化 (マイクロ波)
• S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化 (マイクロ波・ミリ波フォトニクス)
• S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化 (エレクトロニクスシミュレーション)
• S帯170W/70%パーシャル整合 GaN HEMT 高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化
• C-2-28 S帯170W/70%パーシャル整合GaN on Si高効率高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-29 トラップを考慮したGaN on Si大信号モデル(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• C-2-31 抵抗つき2倍波処理回路をつけたL帯高効率GaN増幅・器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-10-6 波形整形理論に基づくGaN HEMT設計手法の提案
• S帯170W/70%パーシャル整合 GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化
• S帯170W/70%パーシャル整合 GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化

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