能登 一二三 | 三菱電機(株)情報技術総合研究所

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概要

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関連著者

• 能登 一二三

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• Noto Hifumi

  Information Technology R&d Center

• 能登 一二三

  三菱電機株式会社

• 能登 一二三

  三菱電機(株)

• 井上 晃

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 井上 晃

  三菱電機株式会社

• 山中 宏治

  三菱電機株式会社

• 中山 正敏

  三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所

• 平野 嘉仁

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 中山 正敏

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 山中 宏治

  三菱電機 情報技総研

• 中山 正敏

  三菱電機株式会社

• 内田 浩光

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 山内 和久

  三菱電機(株)

• 山内 和久

  三菱電機

• 小坂 尚希

  三菱電機株式会社

• 山内 和久

  三菱電機株式会社

• 平野 嘉仁

  三菱電機株式会社

• 金谷 康

  三菱電機株式会社

• 内田 浩光

  三菱電機株式会社

• 平野 嘉仁

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 野上 洋一

  三菱電機株式会社

• 山中 宏治

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 中山 正敏

  三菱電機(株)

• 井上 晃

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 井上 晃

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 大塚 浩志

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 大塚 浩志

  三菱電機株式会社

• 半野 嘉仁

  三菱電機株式会社

• 中山 正敏

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 平野 嘉仁

  三菱電機 先端技総研

• Yamanaka Koji

  Information Technology R&d Center

• 中山 正敏

  三菱電機

• 平野 嘉仁

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• Angelov I.

  Chalmers工科大

• Thorsell Mattias

  Chalmers University of Technology

• Andersson Kristoffer

  Chalmers University of Technology

• Angelov Iltcho

  Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U

• Andersson Kristoffer

  Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U

• Thorsell Mattias

  Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U

• Inoue Akira

  Information Technology R&d Center

• Angelov Iltcho

  Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U

• 安永 吉徳

  三菱電機(株)

• 山中 宏治

  三菱電機(株)

• 平野 嘉仁

  三菱電機(株)

• 安永 吉徳

  三菱電機(株)通信機製作所

• 大平 昌敬

  ATR波動工学研究所

• 桑田 英悟

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 山中 宏治

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 川上 憲司

  東京慈恵会医科大学放射線科

• 岡崎 浩司

  NTTドコモ先進技術研究所

• 上田 哲也

  京都工芸繊維大学

• 川上 憲司

  三菱電機株式会社

• 川上 憲司

  杏林大学

• 野上 洋一

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 加茂 宣卓

  三菱電機株式会社

• 上田 哲也

  京都工繊大

• 川上 憲司

  三菱電機(株)情報技術総合研究前

• 山中 宏治

  三菱電機

• 内田 浩光

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 加屋野 博幸

  東芝

• 加屋野 博幸

  株式会社東芝研究開発センターモバイル通信ラボラトリ

• 安藤 暢彦

  三菱電機株式会社

• ポカレル ラメシュ

  九州大学

• 桑田 英悟

  三菱電機株式会社

• 大石 敏行

  三菱電機株式会社

• Angelov Iltcho

  Chalmers University of Technology

• 能登 一ニ三

  三菱電機株式会社

• 茶木 伸

  三菱電機株式会社

• 大石 敏之

  三菱電機(株)

• Andersson Kristoffer

  Chalmers Univ. Of Technol. Goeteborg Swe

• Thorsell Mattias

  Chalmers Univ. Of Technol. Goeteborg Swe

• 岡崎 浩司

  株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ

• 加茂 宣卓

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 木村 実人

  三菱電機株式会社

• 木村 実人

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 大塚 浩志

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 野坂 秀之

  日本電信電話株式会社

• 大平 昌敬

  埼玉大学大学院理工学研究科

• 上田 哲也

  松下電器産業株式会社半導体研究センター

• YAMANAKA Koji

  Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation

• 茶木 伸

  三菱電機

• 加茂 宣卓

  三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所

• Angelov Iltcho

  Chalmers Univ. Of Technol. Goeteborg Swe

• 大平 昌敬

  埼玉大学

• THORSELL Mattias

  GHz Centre, Dep. of Microtechnology and Nanoscience (MC2), Microwave Electronics Laboratory, Chalmer

• ANDERSSON Kristoffer

  GHz Centre, Dep. of Microtechnology and Nanoscience (MC2), Microwave Electronics Laboratory, Chalmer

• INOUE Akira

  Information Technology R&D Center

• NOTO Hifumi

  Information Technology R&D Center

• 加茂 宣卓

  三菱電機(株)高周波光デバイス製作所

• 藤崎 孝一

  三菱電機(株)

• 小浜 正彦

  三菱電機(株)

• 井上 晃

  Information Technology R&d Center

• 堤 由佳子

  株式会社東芝

• 大塚 浩志

  三菱電機

• 加屋野 博幸

  株式会社東芝

• 山内 和久

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 野坂 秀之

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 小柳 元良

  三菱電機(株)

• 前原 宏昭

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 前原 宏昭

  三菱電機(株)

• 川上 憲司

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 川上 憲司

  三菱電機(株)

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著作論文

• C-2-37 並列ダイオードリニアライザを適用したVHF帯10倍帯域低歪40W増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-38 動的負荷線測定に基づいたGaN HEMT大信号モデル(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-29 10%の比帯域を有するC帯内部整合GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-27 X帯60W高効率GaN内部整合FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-32 MICで構成された並列ダイオードリニアライザの高周波化に関する検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-11 仮想接地型ダイオードリニアライザによるKu帯電力増幅器の歪み補償(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• On the Large Signal Evaluation and Modeling of GaN FET
• C-2-16 点対称バランを用いたプッシュプル増幅器の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
• S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化 (エレクトロニクスシミュレーション)
• C-2-31 並列ダイオードリニアライザの位相特性に関する検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 2011年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告
• S帯170W/70%パーシャル整合 GaN HEMT 高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化
• 高調波処理によるGaN HEMTの高効率動作の検討
• C-2-28 S帯170W/70%パーシャル整合GaN on Si高効率高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-27 Ku帯100W GaN内部整合FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• B-2-45 3 Tone信号を用いたモジュール間の無線同期方法におけるサンプリング誤差の影響(B-2.宇宙・航行エレクトロニクス,一般セッション)
• S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• ダイオードリニアライザの高周波化に関する検討

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