井上 晃 | Information Technology R&d Center
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概要
関連著者
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Inoue Akira
Information Technology R&d Center
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井上 晃
Information Technology R&d Center
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井上 晃
三菱電機株式会社
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井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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山中 宏治
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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井上 晃
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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能登 一二三
三菱電機(株)
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茶木 伸
三菱電機株式会社
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茶木 伸
三菱電機
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Noto Hifumi
Information Technology R&d Center
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山中 宏治
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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大塚 浩志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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湯川 秀憲
三菱電機株式会社
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能登 一二三
三菱電機株式会社
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山内 和久
三菱電機
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大塚 浩志
三菱電機株式会社
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津山 祥紀
三菱電機株式会社
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湯川 秀範
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機(株)
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山内 和久
三菱電機株式会社
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天清 宗山
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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金谷 康
三菱電機株式会社
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中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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河野 正基
三菱電機株式会社
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井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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重永 晃一
三菱電機株式会社 通信機製作所
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山中 宏治
三菱電機 情報技総研
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湯川 秀憲
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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山内 和久
三菱電機(株)
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Angelov I.
Chalmers工科大
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Thorsell Mattias
Chalmers University of Technology
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Andersson Kristoffer
Chalmers University of Technology
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中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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天清 宗山
三菱電機株式会社
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平岩 剛
三菱電機株式会社
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大塚 浩志
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
重永 晃一
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機株式会社
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茶木 伸
三菱電機(株)電子システム研究所
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津山 祥紀
三菱電機(株)通信機製作所
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河野 正基
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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YAMANAKA Koji
Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation
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Angelov Iltcho
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
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THORSELL Mattias
GHz Centre, Dep. of Microtechnology and Nanoscience (MC2), Microwave Electronics Laboratory, Chalmer
-
ANDERSSON Kristoffer
GHz Centre, Dep. of Microtechnology and Nanoscience (MC2), Microwave Electronics Laboratory, Chalmer
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INOUE Akira
Information Technology R&D Center
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NOTO Hifumi
Information Technology R&D Center
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Andersson Kristoffer
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
-
Thorsell Mattias
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
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Yamanaka Koji
Information Technology R&d Center
-
Angelov Iltcho
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
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重永 晃一
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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能登 一二三
三菱電機(株)情報技術総合研究所
著作論文
- ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ
- C-2-23 超広帯域高効率MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-37 FET近傍に2倍波反射オープンスタブを有するC帯GaN HEMT高出力増幅器(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-28 L帯広帯域E級GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-82 負の群遅延時間に対する回路パラメータ依存性の検討(C-2. マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- GaN HEMT広帯域高効率増幅器(マイクロ波,超伝導)
- C-2-57 ミリ波帯RFプローブパッド構造の検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
- GaN HEMTを用いたS帯高耐電力低雑音増幅器
- On the Large Signal Evaluation and Modeling of GaN FET