井上 晃 | 三菱電機(株)情報技術総合研究所
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概要
関連著者
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井上 晃
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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山中 宏治
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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山中 宏治
三菱電機(株)
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桑田 英悟
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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桐越 祐
三菱電機(株)通信機製作所
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平野 嘉仁
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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井上 晃
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機 情報技総研
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桑田 英悟
三菱電機株式会社
著作論文
- C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- K帯WSi/Au T型埋め込みゲート高出力HEMT
- Ku帯WSi/Au T型埋め込みゲートGaAs高出力HFET
- C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器
- C-2-37 並列ダイオードリニアライザを適用したVHF帯10倍帯域低歪40W増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器 (マイクロ波)
- C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 出力容量を考慮した設計による増幅器の広帯域化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器
- 高調波処理によるGaN HEMTの高効率動作の検討(マイクロ波信号発生と計測技術/一般)