パルスRF/パルスI-V測定を用いたGaAs FET評価
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概要
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移動体通信などパルス動作を用いたシステムが急速に普及しており、素子開発におけるパルス動作での評価、解析方法の確立が重要となる。今回、我々はパルスRF/パルスI-V評価システムを構築してGaAs FETのパルス特性評価をするとともに、測定したパルスI-V特性を取り込んだ大信号シミュレーション結果との比較を行った。また、ゲートバルス動作でのRF特性とI-V特性の関連性について検討したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
井上 晃
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
高木 直
三菱電機株式会社
-
高木 直
三菱電機
-
高木 直
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
中島 康晴
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
高木 直
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
松林 弘人
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
松林 弘人
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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