GaN HEMTを用いたS帯高耐電力低雑音増幅器
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概要
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GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛んに研究・開発が進められている.一方,GaNの高耐圧という特徴に着目すると,高出力増幅器のみならず耐電力の高い低雑音増幅器としても有望である.今回GaN HEMTを用いたS帯低雑音増幅器の設計・試作を行った.その結果,約1dBの良好な雑音指数と35dBm以上の高い耐電力が同時に得られた.低コスト化の観点から整合回路基板はアルミナ基板で構成した.これによりGaN HEMTチップ面積は0.34mm^2に抑えることができた.これは従来から報告されているGaN HEMT低雑音MMIC増幅器の約1/10のチップサイズである.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-08-21
著者
-
山中 宏治
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
井上 晃
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
湯川 秀憲
三菱電機株式会社
-
山中 宏治
三菱電機株式会社
-
湯川 秀憲
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
湯川 秀範
三菱電機株式会社
-
Inoue Akira
Information Technology R&d Center
-
井上 晃
Information Technology R&d Center
-
山中 宏治
三菱電機(株)
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