FET温特・バイアスモデルを用いた低雑音MMIC増幅器用温特・ばらつき補償ゲートバイアス回路の検討
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概要
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低雑音MMIC増幅器に内蔵可能で利得の温度特性・プロセスばらつきによる利得ばらつきを緩和する効果があるゲートバイアス回路について検討した.FETの小信号温特・バイアスモデルを作成し, 利得の温度特性を補償するのに必要なゲートバイアス制御を計算した.温特・ばらつき補償ゲートバイアス回路を装荷したKu帯2段MMIC増幅器を設計・試作し, その効果を確認した.このバイアス回路の効果により利得の温度特性を1.4dB/100Kから1.0dB/100Kに低減できた.また利得ばらつきを0.25dB rmsに抑えることができた.この回路構成は温特とばらつきの両方が小さいことが要求されるアクティブフェーズドアレイアンテナに適している.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-10
著者
-
山中 宏治
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
森 一富
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
高木 直
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
池松 寛
三菱電機株式会社
-
池松 寛
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
池松 寛
三菱電機株式会社通信機製作所
-
棚橋 直樹
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
山内 和久
三菱電機(株)
-
山内 和久
三菱電機
-
池田 幸夫
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
池田 幸夫
島田理化工業株式会社
-
池田 幸夫
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
山中 宏治
三菱電機(株)
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