山中 宏治 | 三菱電機(株)
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概要
関連著者
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山中 宏治
三菱電機(株)
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山中 宏治
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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山中 宏治
三菱電機 情報技総研
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Yamanaka Koji
Information Technology R&d Center
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山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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平野 嘉仁
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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平野 嘉仁
三菱電機(株)
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中山 正敏
三菱電機(株)
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中山 正敏
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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平野 嘉仁
三菱電機株式会社
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桑田 英悟
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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桐越 祐
三菱電機(株)通信機製作所
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井上 晃
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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桐越 祐
三菱電機 通信機製作所
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茶木 伸
三菱電機株式会社
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茶木 伸
三菱電機(株)電子システム研究所
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茶木 伸
三菱電機
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森 一富
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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棚橋 直樹
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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桑田 英悟
三菱電機株式会社
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桐越 祐
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機
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大塚 浩志
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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湯之上 則弘
三菱電機(株)通信機製作所
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大塚 浩志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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池松 寛
三菱電機株式会社
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池松 寛
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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池松 寛
三菱電機株式会社通信機製作所
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堀家 淑恵
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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伊藤 康之
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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能登 一二三
三菱電機(株)
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山内 和久
三菱電機(株)
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大塚 浩志
三菱電機株式会社
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伊東 康之
三菱電機株式会社
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伊東 康之
宇宙開発事業団筑波宇宙センタ
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小山 英寿
三菱電機株式会社
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小山 英寿
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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井上 晃
三菱電機株式会社
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山内 和久
三菱電機
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Noto Hifumi
Information Technology R&d Center
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高木 直
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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能登 一二三
三菱電機株式会社
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池田 幸夫
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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菅谷 和則
三菱電機株式会社鎌倉製作所
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山口 哲郎
三菱電機株式会社通信機製作所
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菅谷 和則
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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山口 哲郎
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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池田 幸夫
島田理化工業株式会社
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半野 嘉仁
三菱電機株式会社
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池田 幸夫
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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Inoue Akira
Information Technology R&d Center
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森 一富
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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佐々木 善伸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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星 裕之
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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森 一富
三菱電機株式会社
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宮崎 守泰
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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佐々木 善伸
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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星 裕之
三菱電機株式会社北伊丹事業所
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中原 和彦
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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宮崎 守泰
三菱電機株式会社
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津山 祥紀
三菱電機株式会社
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宮崎 守泰
三菱電機(株)
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木村 実人
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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佐々木 善伸
三菱電機株式会社
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伊東 康之
宇宙開発事業団
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佐々木 善伸
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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津山 祥紀
三菱電機(株)通信機製作所
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宮崎 守泰
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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加茂 宣卓
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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井上 晃
Information Technology R&d Center
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中山 正敏
三菱電機
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前原 宏昭
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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能登 一二三
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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前原 宏昭
三菱電機(株)
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社
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湯川 秀憲
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機株式会社
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湯川 秀憲
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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西原 淳
三菱電機株式会社
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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木村 実人
三菱電機株式会社
-
加茂 宣卓
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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湯川 秀範
三菱電機株式会社
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中山 正敏
三菱電機株式会社
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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山内 和久
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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小柳 元良
三菱電機(株)
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小坂 尚輝
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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西原 淳
三菱電機(株)通信機製作所
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川嶋 慶一
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
著作論文
- C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- ソースインダクタ装荷多段雑音整合型Ku帯APAA用低雑音MMIC増幅器
- C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器
- C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 出力容量を考慮した設計による増幅器の広帯域化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- FET温特・バイアスモデルを用いた低雑音MMIC増幅器用温特・ばらつき補償ゲートバイアス回路の検討
- FET温特・バイアスモデルを用いた低雑音MMIC増幅器用温特・ばらつき補償ゲートバイアス回路の検討
- FET温特・バイアスモデルを用いた低雑音MMIC増幅器用温特・ばらつき補償ゲートバイアス回路の検討
- 帰還型アクティブ整合回路を用いた周波数可変低雑音MMIC増幅器
- 帰還型アクティブ整合回路を用いた周波数可変低雑音MMIC増幅器
- 帰還型アクティブ整合回路を用いた周波数可変低雑音MMIC増幅器
- 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器
- ソースインダクタ装荷多段雑音整合型Ku帯APAA用低雑音MMIC増幅器
- 高調波処理によるGaN HEMTの高効率動作の検討(マイクロ波信号発生と計測技術/一般)
- 出力容量を考慮した設計による増幅器の広帯域化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- GaN HEMT広帯域高効率増幅器(マイクロ波,超伝導)
- GaN HEMT広帯域高効率増幅器(マイクロ波,超伝導)
- C帯高効率高出力GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C帯高効率高出力GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- GaN HEMTを用いたS帯高耐電力低雑音増幅器
- 利得ばらつきを抑えたAPAA用自己バイアス低雑音MMIC増幅器
- 利得ばらつきを抑えたAPAA用自己バイアス低雑音MMIC増幅器
- 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
- 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
- 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 高調波整合による100W超出力GaN高出力増幅器の効率向上についての検討(一般)
- 高調波処理によるGaN HEMTの高効率動作の検討
- C-2-27 Ku帯100W GaN内部整合FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C帯220W高効率GaN増幅器(マイクロ波信号発生と計測技術/一般)