湯之上 則弘 | 三菱電機(株)通信機製作所

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概要

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関連著者

• 山中 宏治

  三菱電機 情報技総研

• 湯之上 則弘

  三菱電機(株)通信機製作所

• 平野 嘉仁

  三菱電機株式会社

• 山中 宏治

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 平野 嘉仁

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 茶木 伸

  三菱電機株式会社

• 中山 正敏

  三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所

• 茶木 伸

  三菱電機

• Yamanaka Koji

  Information Technology R&d Center

• 山中 宏治

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 中山 正敏

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 茶木 伸

  三菱電機(株)電子システム研究所

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  三菱電機(株)

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  三菱電機(株)

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  三菱電機

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  三菱電機

• 中山 正敏

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 湯之上 則弘

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 山中 宏治

  三菱電機株式会社

• 半野 嘉仁

  三菱電機株式会社

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著作論文

• 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
• 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
• C-2-24 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
• 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
• 高調波整合による100W超出力GaN高出力増幅器の効率向上についての検討 (マイクロ波)
• C-2-21 330W出力62%電力付加効率S帯内部高調波整合型GaN FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 高調波整合による100W超出力GaN高出力増幅器の効率向上についての検討(一般)

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