広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
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概要
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GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛んに研究・開発が進められている.特に近年では基地局用増幅器への応用を目指したE級動作増幅器に注目が集まっている.出力整合回路にドレイン直列ワイヤや高インピーダンス線路を用いたE級増幅器は比較的容易にE級動作を実現することができるため高効率動作を実現しやすいメリットがある反面,基本波における負荷インピーダンスの周波数特性が大きくなるため出力電力や消費電力の周波数特性が大きくなる問題がある.本報告ではE級動作の条件を保ちつつ出力の周波数特性が平坦となるように分布定数回路構成でE級増幅器を試作した結果について報告する.
- 2011-01-06
著者
-
平野 嘉仁
三菱電機株式会社
-
山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
山中 宏治
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
平野 嘉仁
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
山中 宏治
三菱電機 情報技総研
-
茶木 伸
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
中山 正敏
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
茶木 伸
三菱電機(株)電子システム研究所
-
茶木 伸
三菱電機
-
湯之上 則弘
三菱電機(株)通信機製作所
-
Yamanaka Koji
Information Technology R&d Center
-
山中 宏治
三菱電機(株)
-
平野 嘉仁
三菱電機(株)
-
中山 正敏
三菱電機(株)
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