茶木 伸 | 三菱電機株式会社

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概要

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関連著者

• 茶木 伸

  三菱電機株式会社

• 茶木 伸

  三菱電機

• 山中 宏治

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 山中 宏治

  三菱電機 情報技総研

• 中山 正敏

  三菱電機株式会社

• 大塚 浩志

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 中山 正敏

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 大塚 浩志

  三菱電機株式会社

• 中山 正敏

  三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所

• Yamanaka Koji

  Information Technology R&d Center

• 平野 嘉仁

  三菱電機株式会社

• 山中 宏治

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 平野 嘉仁

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 佐々木 善伸

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 佐々木 善伸

  三菱電機株式会社

• 佐々木 善伸

  三菱電機(株)高周波光素子事業統括部

• 茶木 伸

  三菱電機(株)電子システム研究所

• 湯之上 則弘

  三菱電機(株)通信機製作所

• 山中 宏治

  三菱電機(株)

• 高木 直

  三菱電機株式会社

• 中原 和彦

  三菱電機株式会社

• 山中 宏治

  三菱電機株式会社

• 山内 和久

  三菱電機株式会社

• 伊山 義忠

  三菱電機株式会社鎌倉製作所

• 山内 和久

  三菱電機

• 伊山 義忠

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 中山 正敏

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 平野 嘉仁

  三菱電機(株)

• 中山 正敏

  三菱電機(株)

• 井上 晃

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 高木 直

  三菱電機

• 井上 晃

  三菱電機株式会社

• 津山 祥紀

  三菱電機株式会社

• 高木 直

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 中原 和彦

  三菱電機

• 塚原 良洋

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 遠藤 邦浩

  三菱電機株式会社

• 遠藤 邦浩

  三菱電機株式会社 鎌倉製作所

• 室井 浩一

  三菱電機株式会社

• 安藤 直人

  三菱電機

• 塚原 良洋

  三菱電機 高周波光デバイス製作所

• 安藤 直人

  三菱電機株式会社

• 石田 多華生

  三菱電機株式会社

• 井上 晃

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 石田 修己

  三菱電機株式会社

• 山中 宏治

  三菱電機

• 中島 康晴

  三菱電機株式会社

• 能登 一二三

  三菱電機株式会社

• 能登 一二三

  三菱電機(株)

• 塚原 良洋

  三菱電機株式会社

• 石田 多華生

  三菱電機

• 石田 多華生

  三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所

• Noto Hifumi

  Information Technology R&d Center

• Inoue Akira

  Information Technology R&d Center

• 井上 晃

  Information Technology R&d Center

• 中山 正敏

  三菱電機

• 高木 直

  東北大学電気通信研究所

• 井上 晃

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 加藤 隆幸

  三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 湯之上 則弘

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 米山 務

  東北大学電気通信研究所

• 飯田 明夫

  三菱電機株式会社

• 稲見 和喜

  三菱電機鎌倉製作所

• 飯田 明夫

  三菱電機

• 加藤 隆幸

  三菱電機株式会社

• 稲見 和喜

  三菱電機株式会社

• 神谷 信之

  三菱電機株式会社

• 大塚 浩志

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 半野 嘉仁

  三菱電機株式会社

• 松林 弘人

  三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 津山 祥紀

  三菱電機(株)通信機製作所

• 加藤 隆幸

  三菱電機

• 松林 弘人

  三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 湯之上 則弘

  三菱電機株式会社

• 宮崎 守泰

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 森 一富

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 桑田 英悟

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 下沢 充弘

  三菱電機株式会社

• 伊東 健治

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 下沢 充弘

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 金谷 康

  三菱電機株式会社

• 河野 正基

  三菱電機株式会社

• 藤岡 孝司

  三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部

• 三井 康郎

  三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 高木 直

  三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 森 一富

  三菱電機株式会社

• 伊東 健治

  三菱電機株式会社

• 竹内 紀雄

  三菱電機株式会社

• 宮崎 守泰

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 佐々木 善伸

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 笠原 通明

  三菱電機株式会社

• 伊山 義忠

  三菱電機 情報技術総合研究所

• 重松 智徳

  三菱電機株式会社

• 池田 幸夫

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 三井 康郎

  三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部

• 湯川 秀憲

  三菱電機株式会社

• 藤岡 孝司

  三菱電機株式会社

• 中根 正文

  三菱電機株式会社

• 宮崎 守泰

  三菱電機株式会社

• 森本 卓男

  三菱電機株式会社

• 桑田 英悟

  三菱電機株式会社

• 能登 一ニ三

  三菱電機株式会社

• 宮崎 守泰

  三菱電機(株)

• 川野 肇

  三菱電機株式会社

• 古屋 輝雄

  三菱電機株式会社

• 池田 幸夫

  島田理化工業株式会社

• 木村 実人

  三菱電機株式会社

• 西谷 和雄

  三菱電機株式会社

• 谷野 憲之

  光マイクロ波デバイス開発研究所

• 佐々木 善伸

  三菱電機株式会社北伊丹事業所

• 塚原 良洋

  三菱電機(株)高周波光素子事業統括部

• 湯川 秀範

  三菱電機株式会社

• 茶木 伸

  三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 青野 眞司

  三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 安藤 直人

  三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 佐々木 善伸

  三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 谷野 憲之

  三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 谷野 憲之

  三菱電機

• 牟田 哲也

  三菱電機株式会社 半導体基盤技術統括部

• 川野 肇

  三菱電機鎌倉製作所

• 河野 正基

  三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所

• 竹内 紀雄

  三菱電機

• 宮崎 守泰

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 中根 正文

  三菱電機

• 塚原 良洋

  三菱電機(株)高周波光デバイス製作所

• 池田 幸夫

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 能登 一二三

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 下沢 充弘

  三菱電機

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著作論文

• 共振用インダクタを内蔵したミリ波帯FETスイッチ
• C-2-29 10%の比帯域を有するC帯内部整合GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 集中定数化X帯MMIC移相器
• C-2-19 5.8GHz高調波整合型内部整合GaN高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-29 抵抗装荷型安定化回路によるC帯GaN HEMT高出力増幅器の利得平坦化検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-37 FET近傍に2倍波反射オープンスタブを有するC帯GaN HEMT高出力増幅器(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-30 直列線路装荷ショートスタブ形出力整合回路を用いたX帯広帯域MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 分布形FET送受切換えスイッチ
• 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器 (マイクロ波)
• 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器 (電子デバイス)
• C-2-34 埋込みPHS構造HEMTを用いた0.5W Q帯電力増幅器MMIC
• 0.7W Ka帯電力増幅器MMIC
• スパイラルインダクタの低損失化
• 分布形FETスイッチを用いたスイッチマトリクスの等利得化
• レイアウト最適化技術を用いたX帯小型4段低雑音増幅器の設計
• 線路間結合を考慮したX帯小型MMIC増幅器の設計
• レイアウトからの部分的バックアノーテーション機能を有するMMIC用CAD
• GaAs MMIC用CADシステム : レイアウトを考慮した設計環境
• 線路間結合を考慮したX帯小型MMIC増幅器の設計
• Ka帯6W MMIC電力増幅器
• Ka帯6W MMIC電力増幅器(ミリ波技術,一般)
• C-2-45 マルチ給電分配回路を用いたKa帯3W MMIC電力増幅器(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
• 0.4W Q帯電力増幅器MMIC
• GaN HEMT広帯域高効率増幅器(マイクロ波,超伝導)
• GaN HEMT広帯域高効率増幅器(マイクロ波,超伝導)
• Ka帯6W MMIC電力増幅器
• C-2-57 ミリ波帯RFプローブパッド構造の検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
• C-2-4 Ka帯6W MMIC電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
• マルチ給電分配回路を用いたKa帯5W MMIC電力増幅器
• Ka帯MMIC4ビット減衰器
• インダクタ内蔵FETスイッチ
• 広帯域分布形FETスイッチ
• 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET (エレクトロニクスシミュレーション)
• 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET (マイクロ波)
• 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET (環境電磁工学)
• C-2-9 入出力ともに2倍波処理したX帯高効率内部整合GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
• 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
• C-2-24 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
• 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
• C-2-21 330W出力62%電力付加効率S帯内部高調波整合型GaN FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 高調波整合による100W超出力GaN高出力増幅器の効率向上についての検討(一般)

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