分布形FET送受切換えスイッチ
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概要
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並列FETのみを分布定数線路の素子として構成する方式の分布形SPSTスイッチとハイブリッド結合器とを組み合わせた構成とすることによって広帯域化を図った送受切換えスイッチを提案し, その回路構成, FET定数とスイッチ性能との関係, および試作結果について述べている. まず, 送受切換えスイッチの基本要素であるSPSTスイッチについて, 適用可能なFETが与えられた場合における帯域幅と反射損, 挿入損, アイソレーション, 耐電力性能との関係式を求める. 次いで, この検討による関係式を適用した, SPSTスイッチの設計手順と設計例を示した上で, 簡易な等価回路を用いた計算によって, 広帯域でありかつ耐電力性能の良好なスイッチが実現できる可能性を示す. 試作の結果, 2オクターブ以上にわたって良好な挿入損特性が得られ, 入射電力28dBmまで性能劣化がなく, 更に入射電力33dBmにおいてもFETが破壊せず, 本構成の送受切換えスイッチの有効性を確認できた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-08-25
著者
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