L帯整合回路一体形Si-MMICのベアチップ時とプラスチックモールド時の特性比較
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概要
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携帯電話などの移動体通信端末では, 低コストな受信フロントエンドICとしてBiCMOSプロセスを用いたSi-MMICが注目されている。ここでは, L帯整合回路一体形Si-MMIC低雑音増幅器(LNA)を用い, 整合回路をコプレーナ線路にしたものと, マイクロストリップ線路にしたものの両者について, ペアチップ時とパッケージモールド時の高周波性能を測定し, その比較を行ったので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
末松 憲治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
伊山 義忠
三菱電機株式会社鎌倉製作所
-
佐藤 久恭
三菱電機株式会社システムLSI開発研究所
-
佐藤 久恭
三菱電機株式会社
-
小野 政好
三菱電機株式会社
-
末松 憲治
三菱電機株式会社
-
久保 俊次
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
杉山 茂
三菱電機株式会社
-
伊山 義忠
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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