久保 俊次 | 三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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概要
関連著者
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久保 俊次
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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伊山 義忠
三菱電機株式会社鎌倉製作所
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伊山 義忠
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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末松 憲治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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小野 政好
三菱電機株式会社
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末松 憲治
三菱電機株式会社
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石田 修己
三菱電機株式会社
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高木 直
三菱電機株式会社
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佐藤 久恭
三菱電機株式会社
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杉山 茂
三菱電機株式会社
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下沢 充弘
三菱電機株式会社
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石田 修己
韓国情報通信大学工学部
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佐藤 久恭
三菱電機株式会社システムLSI開発研究所
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中島 健介
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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末松 憲治
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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中島 健介
三菱電機株式会社
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上杉 美喜夫
三菱電機株式会社
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石田 修己
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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石田 修己
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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重松 智徳
三菱電機株式会社
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佐藤 久恭
三菱電機(株)システムLSI開発研究所
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上田 公大
三菱電機株式会社
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佐藤 久恭
株式会社ルネサステクノロジ
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佐々木 なぎさ
三菱電機株式会社
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久保 俊次
三菱電機(株)システムLSI開発研究所
-
小紫 浩史
システムlsi事業化推進センター:三菱電機株式会社
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小野 政好
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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伊山 義忠
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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長谷川 浩一
三菱電機株式会社
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弘重 健司
三菱電機株式会社
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佐藤 久恭
三菱電機システムlsi事業化推進センター
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小紫 浩史
東京理科大
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伊東 健治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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伊東 健治
三菱電機株式会社
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山口 泰男
三菱電機株式会社 LSI 研究所
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益子 耕一郎
三菱電機株式会社システムlsi事業化推進センター
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上田 公大
三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター
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益子 耕一郎
三菱電機システムLSI開発研究所
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小紫 浩史
三菱電機株式会社システムLSI開発研究所
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佐々木 なぎさ
三菱電機(株)システムLSI開発研究所
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山口 泰男
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
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山口 泰男
株式会社ルネサステクノロジ
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山口 泰男
三菱電機(株)ulsi開発研究所
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三木 隆博
三菱電機株式会社
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三木 隆博
三菱電機(株)システムLSI開発研究所
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小紫 浩史
三菱電機(株) ULSI開発研究所
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上田 公大
三菱電機システムLSI開発研究所
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佐々木 なぎさ
三菱電機システムLSI開発研究所
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佐藤 久恭
三菱電機システムLSI開発研究所
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久保 俊次
三菱電機ULSI開発研究所
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石田 修巳
三菱電機株式会社
著作論文
- 19GHz Si低歪みダウンミキサ回路
- 3.0Gb/s,272mW,8:1マルチプレクサ/4.1Gb/s,388mW,1:8デマルチプレクサ
- SOI CMOSプロセスを用いて作成したL帯整合回路一体形Si-MMIC低雑音増幅器
- BJTとMOSFETを混載した800MHz帯Si-MMIC低ひずみ低雑音受信フロントエンド
- BJTとMOSFETを混載した800MHz帯Si-MMIC低ひずみ低雑音受信フロントエンド
- 1.9GHz帯偶高調波形ダイレクトコンバージョンSi-MMIC受信フロントエンド
- アンチパラレルダイオードペアを用いた1.9GHz帯Si-MMICダイレクトコンバージョン受信ミクサ
- BiCMOSプロセスを用いて作成したショットキーダイオードのダイレクトコンバージョン特性
- L帯整合回路一体形Si-MMICのベアチップ時とプラスチックモールド時の特性比較
- Si-MMIC用マイクロストリップ線路損失と基板の抵抗率との関係
- L帯整合回路一体形Si-MMIC低雑音増幅器
- 電磁界シミュレーションを用いた抵損失オンチップ整合回路用Si基板の基板抵抗率の検討
- SC-7-4 電磁界シミュレーションを用いた低損失オンチップ整合回路用Si基板の基板抵抗率の検討
- 高抵抗Si基板上に作成したバイポーラトランジスタの高周波モデリング(マイクロ波電力応用/一般)
- 高抵抗Si基板上に作成したバイポーラトランジスタの高周波モデリング
- SC-2-2 高抵抗Si基板上に作成したバイポーラトランジスタの高周波モデリングと5.8GHz帯ICへの適用
- 1.9GHz帯整合回路一体形Si-MMIC受信フロントエンド
- 1.9GHz帯整合回路一体形Si-MMIC受信フロントエンド
- C-2-9 高抵抗Si基板上に作成した5.8GHz帯Si-MMICダブルバランスミクサ
- 高抵抗Si基板上に作成したバイポーラトランジスタの高周波モデリング
- 高抵抗Si基板上に作成した5.8GHz帯Si-MMICフロントエンド
- 高抵抗Si基板上に作成した5.8GHz帯整合回路一体形Si-MMIC低雑音増幅器
- BiCMOSプロセスを用いて作成したL帯Si-MMICショットキーダイオードミクサ