高抵抗Si基板上に作成したバイポーラトランジスタの高周波モデリング
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概要
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高抵抗Si基板を用いて作成されたMMICは,低抵抗Si基板を用いた通常のMMICに比べて,基板の誘電体損失を低減できるため,バイポーラトランジスタ(BJT)などの能動素子の高性能化,スパイラルインダクタなど受動素子の損失低減を実現できる.ここでは,高抵抗Si基板上と低抵抗Si基板上に作成したバイポーラトランジスタの雑音特性を含めた高周波モデリングを行い,その比較結果から基板抵抗率によるトランジスタ単体特性の差異を定量的に明らかにした.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-10-21
著者
-
末松 憲治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
高木 直
三菱電機株式会社
-
伊山 義忠
三菱電機株式会社鎌倉製作所
-
石田 修己
三菱電機株式会社
-
小野 政好
三菱電機株式会社
-
末松 憲治
三菱電機株式会社
-
久保 俊次
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
伊山 義忠
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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