Si-MMIC用マイクロストリップ線路損失と基板の抵抗率との関係
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概要
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移動体通信端末への適用を目指したSi-MMICの開発が注目されている.通常のSiプロセスにおいては,用いる基板の抵抗率が数〜数十ΩcmとGaAs-MMICの数十MΩcmに比べて極めて低いため,チップ上に形成された高周波線路の誘電体損失が非常に大きいという問題がある.ここでは,基板の実用的な抵抗率を明らかにすることを目的として,Si基板上に形成されたマイクロストリップ線路の伝送損失と基板抵抗率との関係を測定したので報告する.さらに,マイクロストリップ線路を用いたスパイラルインダクタの損失についても実験結果を報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
末松 憲治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
伊山 義忠
三菱電機株式会社鎌倉製作所
-
石田 修己
三菱電機株式会社
-
重松 智徳
三菱電機株式会社
-
小野 政好
三菱電機株式会社
-
末松 憲治
三菱電機株式会社
-
久保 俊次
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
伊山 義忠
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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