抵抗整合回路を用いたハイパス/ローパス形移相器
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概要
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抵抗整合回路を装荷することにより反射特性と移相量特性の改善を図ったハイパス/ローパス形移相器を提案し,その回路構成,反射と移相量誤差の低減法および試作結果について述べている.まず,フィルタをSPDTスイッチで切り換える方式のハイパス/ローパス形移相器における,SPDTスイッチの反射と移相量誤差との関係について述べる.ついで,スイッチング素子の寄生抵抗により生じるSPDTスイッチの反射について述べ,この反射を低減するための抵抗整合回路を用いたインピーダンス整合法を示す.更に,S帯移相器への抵抗整合回路の適用例によって,スイッチング素子に抵抗がある場合においても整合が実現でき,移相量誤差が低減できることを計算によって示す.90度単ビット移相器の試作の結果,S帯の比帯域50%で移相量誤差4度以下,リターンロス19dB以上と,反射および移相量誤差の小さい値を得,抵抗整合回路の有効性を確認できた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-25
著者
-
安藤 直人
三菱電機株式会社
-
伊山 義忠
三菱電機株式会社鎌倉製作所
-
石田 修己
三菱電機株式会社
-
飯田 明夫
三菱電機株式会社
-
浦崎 修治
三菱電機株式会社
-
飯田 明夫
三菱電機
-
浦崎 修治
三菱電機株式会社電子システム研究所
-
伊山 義忠
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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