容量装荷による直並列型FET-SPDTスイッチの高アイソレーション化
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
シャントFETに容量を装荷することにより, FETの寄生インダクタンスを打ち消し高アイソレーション化を図った直並列型SPDTスイッチを試作した.この構成は, 容量を装荷した事により, 高い周波数帯で高いアイソレーションを得ることが可能である.18GHz帯と28GHz帯で試作を行った結果, どちらも28.9dBのアイソレーションが得られ, その効果を確認することが出来た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-07-20
著者
-
久留須 整
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
伊山 義忠
三菱電機株式会社鎌倉製作所
-
檜枝 護重
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
檜枝 護重
三菱電機 情報技術総合研究所
-
中原 和彦
三菱電機 情報技術総合研究所
-
宮口 賢一
三菱電機 情報技術総合研究所
-
久留須 整
三菱電機 情報技術総合研究所
-
伊山 義忠
三菱電機 情報技術総合研究所
-
高木 直
三菱電機 情報技術総合研究所
-
宮口 賢一
三菱電機
-
久留須 整
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
伊山 義忠
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
宮口 賢一
三菱電機 情報技総研
-
中原 和彦
三菱電機
関連論文
- 2.5/3.5GHz帯WiMAX用HBT MMIC電力増幅器モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 無線通信用カレントミラー型GaAs HBT RF検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- GaAs方向性結合器付き検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 未使用線路を抵抗終端したKu帯可変遅延線路(マイクロ波電力応用/一般)
- 未使用線路を抵抗終端したKu帯可変遅延線路
- C-2-23 共振抑圧機能を有するK帯4bit可変遅延線路
- 低損失・定位相Ku帯6ビットMMIC可変減衰器(可変回路)(超高周波アナログ可変機能デバイス回路技術論文特集)
- Ku帯小型5ビットMMIC移相器
- C-2-7 π型移相器回路を用いた Ku 帯小型 5 ビット MMIC 移相器
- 自己切替フィルタを用いたKu帯5bit移相器
- C-2-6 LC並列共振回路を用いた低位相変化アナログFET可変減衰器
- C-2-22 補間ロードプル・ソースプルデータを用いた多段電力増幅器モジュールの大信号特性計算プログラム
- 容量装荷による直並列型FET-SPDTスイッチの高アイソレーション化
- 直列/並列LC回路切替方式広帯域反射型移相器MMIC
- 補間ロードプル・ソースプルデータを用いた多段電力増幅器モジュールの大信号特性計算プログラム
- C-2-20 直列並列回路切替方式反射型90゜移相器の広帯域化
- C-2-19 ばらつきを考慮し特性変化を抑制したHPF/LPF切替え形移相器
- C-2-17 反射防止FET装荷型スイッチを用いたKa帯4bit可変遅延線路
- 直並列共振回路切替型超広帯域反射型移相器
- C-2-24 Ku帯6ビットMMIC可変減衰器
- C-2-22 Ku帯小形・低損失6ビットGaAs-MMIC移相器
- Ku帯小形・低損失6ビットGaAs-MMIC移相器
- C-2-38 等損失化超広帯域反射形GaAs-MMIC4ビット移相器
- ETC用6GHz帯GaAs MMIC送受信フロントエンド
- ETC用6GHz帯GaAsMMIC送受信フロントエンド
- 2〜18.5GHz帯低損失・高アイソレーションPINダイオードSPDTスイッチ
- 1つのMPIにて構成したミクサのイメージ抑圧方式の一検討
- 60GHz帯イメージリジェクションハーモニックミクサ
- 共振用インダクタを内蔵したミリ波帯FETスイッチ
- 1.4W, K帯小型モノリシック電力増幅器
- Ka帯中出力PHEMT MMIC増幅器
- C-10-1 受動移相器を内蔵したカプラ付きGaAs HBT RF検波回路の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 能動移相器を内蔵したカプラ付きGaAs HBT RF検波回路の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-17 GaAs基板上に作製したカプラ付きHBT RF検波回路の基本検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-16 増幅段バイパス型利得切替HBT増幅器に関する検討(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 2.5/3.5GHz帯InGaP HBT電力増幅器モジュール(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-1 GaAs HBT RF検波回路に関する基本検討(2)(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-2-36 0.35μmBiCMOSプロセスを用いて作成した低損失L帯Si-MMIC5ビット可変減衰器
- 2.5/3.5GHz帯WiMAX用HBT MMIC電力増幅器モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- SOI CMOSプロセスを用いて作成したL帯整合回路一体形Si-MMIC低雑音増幅器
- SOI CMOSプロセスを用いて作成したL帯Si-MMIC整合回路一体形低雑音増幅器
- C-2-3 移動体通信用2.1GHz帯利得可変GaAs-MMIC受信フロントエンド
- BJTとMOSFETを混載した800MHz帯Si-MMIC低ひずみ低雑音受信フロントエンド
- BJTとMOSFETを混載した800MHz帯Si-MMIC低ひずみ低雑音受信フロントエンド
- Ka帯MMIC移相器
- 集中定数化X帯MMIC移相器
- 集中定数化C帯MMIC移相器
- C-2-28 利得平坦化セルを用いた20-30GHz帯広帯域増幅器
- インピーダンス変成方式によるPINダイオード並列装荷形6〜18GHz帯SPDTスイッチ
- Si-MOSFETを用いたL帯SPDTスイッチ
- Si-MOSFETを用いたL帯SPDTスイッチ
- Si-MOSFETを用いたL帯SPDTスイッチ
- 寄生容量補償形FETバランを用いた2GHz帯GaAs-MMICバランス形アップミクサ
- 分布形FET送受切換えスイッチ
- フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討 (マイクロ波)
- フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討 (電子デバイス)
- 1.9GHz帯偶高調波形ダイレクトコンバージョンSi-MMIC受信フロントエンド
- アンチパラレルダイオードペアを用いた1.9GHz帯Si-MMICダイレクトコンバージョン受信ミクサ
- 狭帯域ループフィルタを用いたカルテジアンフィードバック低ひずみ送信機の変調特性
- BiCMOSプロセスを用いて作成したショットキーダイオードのダイレクトコンバージョン特性
- L帯整合回路一体形Si-MMICのベアチップ時とプラスチックモールド時の特性比較
- 移動体通信用800MHz帯アンテナ切り替えダイバーシティ対応ダウンコンバータモジュール
- 移動体通信用800MHz帯アンテナ切り替えダイバーシティ対応ダウンコンバータモジュール
- 移動体通信用900MHz帯低電流ダウンコンバータモジュール
- C-2-9 Ku 帯衛星通信用 5bit MMIC 移相器
- 直列/並列LC回路切替方式広帯域反射型移相器MMIC (特集 化合物半導体)
- 直列/並列LC回路切替方式広帯域反射型移相器MMIC
- GaAs方向性結合器付き検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 無線通信用カレントミラー型GaAs HBT RF検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- WiMAX CPE用高出力HBT電力増幅器モジュール (特集 高周波・光デバイス)
- Si-MMIC用マイクロストリップ線路損失と基板の抵抗率との関係
- カルテジアンフィードバック形L帯送信ひずみ補償装置
- L帯整合回路一体形Si-MMIC低雑音増幅器
- デュアルゲートFETを用いたC帯高アイソレーションスイッチマトリクス
- 等損失化広帯域反射形移相器
- 電磁界シミュレーションを用いた抵損失オンチップ整合回路用Si基板の基板抵抗率の検討
- SC-7-4 電磁界シミュレーションを用いた低損失オンチップ整合回路用Si基板の基板抵抗率の検討
- 補間ロードプル・ソースプルデータを用いた多段電力増幅器モジュールの大信号特性計算プログラム
- 高抵抗Si基板上に作成したバイポーラトランジスタの高周波モデリング(マイクロ波電力応用/一般)
- 高抵抗Si基板上に作成したバイポーラトランジスタの高周波モデリング
- SC-2-2 高抵抗Si基板上に作成したバイポーラトランジスタの高周波モデリングと5.8GHz帯ICへの適用
- 直並列共振回路切替型超広帯域反射型移相器
- 直並列共振回路切替型超広帯域反射型移相器
- 直並列共振回路切替型超広帯域反射型移相器
- Ka帯MMIC4ビット減衰器
- インダクタ内蔵FETスイッチ
- 抵抗整合回路を用いたハイパス/ローパス形移相器
- 1.9GHz帯整合回路一体形Si-MMIC受信フロントエンド
- 1.9GHz帯整合回路一体形Si-MMIC受信フロントエンド
- C-2-9 高抵抗Si基板上に作成した5.8GHz帯Si-MMICダブルバランスミクサ
- 高抵抗Si基板上に作成した5.8GHz帯Si-MMICフロントエンド
- 高抵抗Si基板上に作成した5.8GHz帯整合回路一体形Si-MMIC低雑音増幅器
- BiCMOSプロセスを用いて作成したL帯Si-MMICショットキーダイオードミクサ
- FET直列装荷形2ビット一体化ローデッドライン移送器
- 広帯域分布形FETスイッチ
- 270GHz帯イメージリジェクションSISミクサ
- WiMAX用小型電力増幅器"MGFS38Eシリーズ" (特集 高周波・光デバイス)
- 未使用線路を抵抗終端したKu帯可変遅延線路
- フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)