デュアルゲートFETを用いたC帯高アイソレーションスイッチマトリクス
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概要
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デュアルゲートFETを用いたC帯スイッチマトリクスを開発した.スイッチ素子としてデュアルゲートFETを用いることにより,シングルゲートFETに比べて高いアイソレーション特性が実現できる.また,第2ゲート電圧によりON時の利得を制御できるので,スイッチマトリクスの経路差による利得偏差を小さくできる.試作の結果,C帯においてアイソレーション65dB以上,経路差による利得偏差3dB以下の性能を得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-07-24
著者
-
末松 憲治
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
伊東 健治
三菱電機(株) モバイルターミナル製作所
-
伊山 義忠
三菱電機株式会社鎌倉製作所
-
重松 智徳
三菱電機株式会社
-
飯田 明夫
三菱電機
-
中根 正文
三菱電機株式会社
-
伊山 義忠
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
伊山 義忠
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
重松 智徳
三菱電機(株)電子システム研究所
-
中根 正文
三菱電機(株)電子システム研究所
-
茶木 伸
三菱電機(株)電子システム研究所
-
飯田 明夫
三菱電機(株)電子システム研究所
-
茶木 伸
三菱電機
-
中根 正文
三菱電機
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