位相補償形MOSFET可変減衰器を用いた広ダイナミックレンジ低雑音増幅器(マイクロ波超伝導/一般)
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概要
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移動通信端末の受信機の広ダイナミックレンジ化を実現する手法の一つとして,RFフロントエンド部に可変減衰器を用いる方法がある。しかし従来のMOSFETπ形可変減衰器では,FETの寄生容量及びグランドヘのポンデイングワイヤのインダクタンスの影響により,利得切替時に位相差が生じてしまうという問題がある。ここでは,利得切替時の位相差を補償用容量を用いて小さくする位相補償形MOSFET可変減衰器を提案する。 SiGe-BiCMOSプロセスを用い,1.5GHz帯低雑音増幅器と組み合わせて試作を行った。この結果,利得切替量20dB,通過位相差0.5°の良好な性能を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-16
著者
-
末松 憲治
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
蔭山 千恵美
三菱電機株式会社
-
蔭山 千恵美
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
谷口 英司
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
生島 貴之
三菱電機株式会社
-
前田 憲一
三菱電機株式会社
-
前田 憲一
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
生島 貴之
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
谷口 英司
三菱電機株式会社
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