ガラエポ基板にSW-BANKとL, Cチップ部品を実装したL帯5ビット移相器モジュール
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概要
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近年, 移動体通信の普及により, 携帯電話等で使用されるL帯マイクロ波デバイスの小形化, 低コスト化が進んでいる.ここでは, これらデバイスを利用した低コストな移相器モジュール構成を提案する.この移相器モジュールは, GaAs SW-BANKとチップインダクタ / チップコンデンサで構成されたハイパスフィルタ / ローパスフィルタ切換え形の移相回路を低コストなガラエポ基板上に構成したものである.本構成によるL帯5ビット移相器モジュールを試作した結果, 従来のGaAs-MMIC移相器と比べ, GaAs半導体基板の総面積を約1 / 6に低減でき, また, サイズ, 性能ともに同程度の良好な結果が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-01-20
著者
-
末松 憲治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
高木 直
三菱電機株式会社
-
谷口 英司
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
中島 健介
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
中島 健介
三菱電機株式会社
-
佐々木 善伸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
末松 憲治
三菱電機株式会社
-
竹田 英次
三菱電機(株)
-
谷口 英司
三菱電機株式会社
-
竹田 英次
三菱電機株式会社
-
佐々木 善伸
三菱電機株式会社北伊丹事業所
-
佐々木 善伸
三菱電機株式会社
-
佐々木 善伸
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
辛坊 俊行
三菱電機エンジニアリング株式会社伊丹事業所
-
辛坊 俊行
三菱電機株式会社
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