ガラエポ基板にSW-BANKとL, Cチップ部品を実装したL帯5ビット移相器モジュールの特性ばらつき
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概要
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GaAs SW-BANKチップとチップインダクタ/チップコンデンサをガラエポ基板に実装したL帯5ビット移相器モジュールでは, 移相回路に用いるチップインダクタ, チップコンデンサが個別の部品であるため, そのL値, あるいはC値のばらつきは無相関となる.ここでは, これら部品が無相関にばらついた場合について, 移相器の高周波特性ばらつきをモンテカルロシミュレーション及び, 試作結果から求め, ばらつきが5ビット移相器として問題ない範囲であることを確認した.また, 信頼性試験についても合わせて報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-13
著者
-
末松 憲治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
高木 直
三菱電機株式会社
-
谷口 英司
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
中島 健介
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
中島 健介
三菱電機株式会社
-
佐々木 善伸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
末松 憲治
三菱電機株式会社
-
竹田 英次
三菱電機(株)
-
谷口 英司
三菱電機株式会社
-
竹田 英次
三菱電機株式会社
-
佐々木 善伸
三菱電機株式会社北伊丹事業所
-
佐々木 善伸
三菱電機株式会社
-
佐々木 善伸
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
辛坊 俊行
三菱電機エンジニアリング株式会社伊丹事業所
-
辛坊 俊行
三菱電機株式会社
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