検波電流補償形増幅器を内蔵したL帯SiGe-BiCMOS送信MMIC(マイクロ波超伝導/一般)
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概要
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ソース端子を電流源と接続するCMOS差動増幅器,及びソース端子を直接接地するCMOS差動増幅器にそれぞれ適用可能な,電力に応じて自動的にバイアス条件を変化させる2種類の検波電流補償形バイアス回路を提案する.提案のバイアス回路はともに,増幅器の入力もしくは出力電力に応じた電流を発生する検波回路と,検波回路で発生する電流を増幅器のバイアス回路に帰還させる帰還回路から構成されている.高入(出)力電力時に,検波電流の増加に伴い増幅器の動作電流が増加し,高飽和特性を実現することができる.提案のバイアス回路を備えたL帯増幅器,及びL帯増幅器を内蔵した送信MMICを0.18μm SiGe-BiCMOS プロセスを用いて試作した結果,良好な特性を得た.
- 2010-04-16
著者
-
下沢 充弘
三菱電機株式会社
-
新庄 真太郎
三菱電機株式会社
-
谷口 英司
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
下沢 充弘
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
桐越 祐
三菱電機株式会社
-
加賀野 未来
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
谷口 英司
三菱電機株式会社
-
桐越 祐
三菱電機 通信機製作所
-
下沢 充弘
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
加賀野 未来
三菱電機株式会社通信機製作所
-
桐越 祐
三菱電機株式会社 通信機製作所
-
新庄 真太郎
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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