アクティブバランを用いた偶高調波リングミクサのアイソレーション特性の解析
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概要
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バランとリングダイオードとを組み合わせたリングミクサは局部発振(LO)/RF端子間アイソレーションが広帯域に得られる利点がある.本報告ではアクティブバランを用いた偶高調波リングミクサを報告する.アクティブバランはドレイン・ソース間に流れる電流の方向性を利用するため,原理的に180度分配が可能である.さらにFET1つで構成できるため小形である.ここではFETのパラメータとリングミクサのLO/RF端子間アイソレーションとの関係を示す.さらに,試作した偶高調波リングミクサMMICを報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
下沢 充弘
三菱電機株式会社
-
伊東 健治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
川上 憲司
三菱電機株式会社
-
伊東 健治
三菱電機株式会社
-
飯田 明夫
三菱電機株式会社
-
飯田 明夫
三菱電機
-
笠井 信之
三菱電機株式会社
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