飽和出力電力近傍におけるFET増幅器のIM_3の位相特性
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概要
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従来、測定が困難であったIM_3の発生位相変化入力電力依存性の測定系を考案し、GaAsMESFETを用いたマイクロ波帯増幅器の特性評価を行った。2キャリヤ入力時のキャリヤ信号の通過位相変化は1キャリヤ入力時のものとほぼ同様の傾向が得られた。また、IM_3の発生位相変化はキャリヤ信号の通過位相に比べて極めて大きい。飽和出力近傍で、キャリヤの位相変化は5度程度であるにもかかわらず、IM_3の位相変化は30度以上であった。この測定結果の検証を行うために、1キャリヤ入力時の出力電力、通過位相変化の入力電力依存性より求めた2キャリヤ入力時の各位相変化と比較し、よい一致を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-02-18
著者
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