マルチバンド・マルチモード無線通信端末用広帯域SiGe-BiCMOS MMIC(ソフトウェア無線研究会に対する関連研究会からの期待と要望, 第一種ソフトウェア無線研究会発足記念シンポジウム, 一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ソフトウェア無線をはじめとする数百MHz帯〜6GHz帯のマルチバンド・マルチモード無線通信端末を実現するには, 広帯域あるいはチューナブルなRF部の実現が望まれている.ここでは, マルチモード・マルチバンドの送受信に適したダイレクトコンバージョン方式の広帯域送受信用直交ミクサおよび広帯域移相器, 可変減衰器などを構成するSiGe-BiCMOS MMICの開発例を紹介する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-05-04
著者
関連論文
- 8相ポリフェーズフィルタを用いた偶高調波形IRM(一般,学生発表会,一般)
- C-2-26 324Mbps伝送用5GHz帯送受信SiGe-MMIC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-4 8相polyphase filterを用いた偶高調波形IRM(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- 342Mbps伝送用5GHz帯送受信SiGe-MMIC(マイクロ波技術一般)
- C-2-47 0.8-5.2GHz帯マルチバンド/マルチモードダイレクトコンバージョン受信機用SiGe-MMIC Q-MIX(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- 0.8-5.2GHz帯マルチバンド/マルチモードダイレクトコンバージョン受信機用SiGe-MMIC Q-MIX
- C-2-22 0.8-5.2GHzマルチバンド/マルチモードSiGe-MMIC直交ミクサのダイレクトコンバージョン受信特性(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-30 0.8-5.2GHz広帯域SiGe-MMIC直交変調器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- 0.8-5.2GHzマルチバンド/マルチモードダイレクトコンバージョン送信機用SiGe-MMIC直交変調器(技術展示, パネル討論, 無線信号処理実装, 一般)
- 0.8-5.2GHzマルチバンド/マルチモードSiGe-MMIC直交ミクサのダイレクトコンバージョン受信特性
- マルチバンド・マルチモード無線通信端末用広帯域SiGe-BiCMOS MMIC(ソフトウェア無線研究会に対する関連研究会からの期待と要望, 第一種ソフトウェア無線研究会発足記念シンポジウム, 一般)
- C-2-50 2GHz帯自己分周形直交ミクサ(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-2-15 SiGe HBT および CMOSFET 受信ミクサの IF 周波数依存性
- 低IF周波数領域における2.5GHz帯SiGe HBTおよびCMOSFETミクサの受信特性(マイクロ波シミュレータ/一般/学生会)
- 位相補償形 MOSFET 可変減衰器を用いた広ダイナミックレンジ低雑音増幅器
- 位相補償形MOSFET可変減衰器を用いた広ダイナミックレンジ低雑音増幅器(マイクロ波超伝導/一般)
- C-2-23 位相補償形 MOSFET 可変減衰器を用いた広ダイナミックレンジ低雑音増幅器
- C-2-12 2LO キャンセラー付き 2GHz 帯偶高調波形ダイレクトコンバージョン CECCTP ミクサ
- 2LOキャンセラー付き2GHz帯偶高調波形ダイレクトコンバージョンCECCTPミクサ
- PA-VCO内蔵5.8GHz帯ETC車載器用送受信システムMMIC
- PA-VCO内蔵5.8GHz帯ETC車載器用送受信システムMMIC(ミリ波技術,一般)
- C-2-24 PA-VCO内蔵5.8GHz帯ETC車載器用送受信システムMMIC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),エレクトロニクス1,一般講演,2006年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会)
- 低損失・定位相Ku帯6ビットMMIC可変減衰器(可変回路)(超高周波アナログ可変機能デバイス回路技術論文特集)
- C-2-2 定入力インピーダンス0.13μm CMOS経路切替形可変利得低雑音増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-3 GND-VIAを用いたX帯SiGe-MMIC増幅器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- 環状ポリフェーズフィルタを用いた5GHz帯SiGe-MMIC直接直交変調器(一般, 学生研究会/マイクロ波シミュレータ/一般)
- C-2-46 環状ポリフェーズフィルタを用いた5GHz帯SiGe-MMIC直接直交変調器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- 可変フィードバック容量形2.9GHz帯SiGe-MMIC VCO
- 二重積層形ポリフェーズフィルタを用いた5GHz帯SiGe-MMIC直接直交変調器(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- PA-VCO内蔵5.8GHz帯ETC車載器用送受信システムMMIC
- 位相補償形MOSFET可変減衰器を用いた広ダイナミックレンジ低雑音増幅器(マイクロ波超伝導/一般)
- C-2-24 5.8GHz 帯整合回路一体形 SiGe-MMIC 低雑音増幅器
- 二重積層形ポリフェーズフィルタを用いた5GHz帯SiGe-MMIC直接直交変調器(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- C-2-32 広帯域バイアス回路を用いた2-18GHz帯SP3T PINダイオードスイッチ
- 電磁界シミュレーションを用いた抵損失オンチップ整合回路用Si基板の基板抵抗率の検討
- SC-7-4 電磁界シミュレーションを用いた低損失オンチップ整合回路用Si基板の基板抵抗率の検討
- L帯5ビット移相器マルチチップモジュール(可変モジュール)(超高周波アナログ可変機能デバイス回路技術論文特集)
- ガラエポ基板にSW-BANKとL, Cチップ部品を実装したL帯5ビット移相器モジュールの特性ばらつき
- ガラエポ基板にSW-BANKとL, Cチップ部品を実装したL帯5ビット移相器モジュールの特性ばらつき
- C-2-18 ガラエポ基板にSW-BANKとL,Cチップ部品を実装したL帯5ビット移相器モジュールのばらつき特性
- ガラエポ基板にSW-BANKとL, Cチップ部品を実装したL帯5ビット移相器モジュール
- ガラエポ基板にSW-BANKとL, Cチップ部品を実装したL帯5ビット移相器モジュール
- ガラエポ基板にSW-BANKとL, Cチップ部品を実装したL帯5ビット移相器モジュール
- ガラエポ基板にSW-BANKとL, Cチップ部品を実装したL帯5ビット移相器モジュール
- C-2-10 レーダ用低雑音・可変利得 L 帯 SiGe 受信 IC
- ポリフェーズフィルタを用いたL帯SiGe-MMICベクトル合成形アナログ移相器
- ポリフェーズフィルタを用いたL帯SiGe-MMICベクトル合成形アナログ移相器
- C-2-27 SiGe-HBT を用いた 14GHz 帯低消費電流スタティック形 2 分周器
- 整合回路一体形Si-MMIC用高周波線路構造の検討