Si-MOSFETスイッチングデバイス (特集 高周波実装技術)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 未使用線路を抵抗終端したKu帯可変遅延線路(マイクロ波電力応用/一般)
- 未使用線路を抵抗終端したKu帯可変遅延線路
- C-2-23 共振抑圧機能を有するK帯4bit可変遅延線路
- 低損失・定位相Ku帯6ビットMMIC可変減衰器(可変回路)(超高周波アナログ可変機能デバイス回路技術論文特集)
- Ku帯小型5ビットMMIC移相器
- C-2-6 LC並列共振回路を用いた低位相変化アナログFET可変減衰器
- C-2-22 補間ロードプル・ソースプルデータを用いた多段電力増幅器モジュールの大信号特性計算プログラム
- 容量装荷による直並列型FET-SPDTスイッチの高アイソレーション化
- 補間ロードプル・ソースプルデータを用いた多段電力増幅器モジュールの大信号特性計算プログラム
- C-2-19 ばらつきを考慮し特性変化を抑制したHPF/LPF切替え形移相器
- C-2-17 反射防止FET装荷型スイッチを用いたKa帯4bit可変遅延線路
- C-2-22 Ku帯小形・低損失6ビットGaAs-MMIC移相器
- Ku帯小形・低損失6ビットGaAs-MMIC移相器
- C-2-38 等損失化超広帯域反射形GaAs-MMIC4ビット移相器
- ETC用6GHz帯GaAs MMIC送受信フロントエンド
- ETC用6GHz帯GaAsMMIC送受信フロントエンド
- 2〜18.5GHz帯低損失・高アイソレーションPINダイオードSPDTスイッチ
- 1つのMPIにて構成したミクサのイメージ抑圧方式の一検討
- 60GHz帯イメージリジェクションハーモニックミクサ
- 共振用インダクタを内蔵したミリ波帯FETスイッチ
- C-2-36 0.35μmBiCMOSプロセスを用いて作成した低損失L帯Si-MMIC5ビット可変減衰器
- SOI CMOSプロセスを用いて作成したL帯整合回路一体形Si-MMIC低雑音増幅器
- SOI CMOSプロセスを用いて作成したL帯Si-MMIC整合回路一体形低雑音増幅器
- C-2-3 移動体通信用2.1GHz帯利得可変GaAs-MMIC受信フロントエンド
- BJTとMOSFETを混載した800MHz帯Si-MMIC低ひずみ低雑音受信フロントエンド
- BJTとMOSFETを混載した800MHz帯Si-MMIC低ひずみ低雑音受信フロントエンド
- Ka帯MMIC移相器
- 集中定数化X帯MMIC移相器
- 集中定数化C帯MMIC移相器
- インピーダンス変成方式によるPINダイオード並列装荷形6〜18GHz帯SPDTスイッチ
- Si-MOSFETを用いたL帯SPDTスイッチ
- Si-MOSFETを用いたL帯SPDTスイッチ
- Si-MOSFETを用いたL帯SPDTスイッチ
- 寄生容量補償形FETバランを用いた2GHz帯GaAs-MMICバランス形アップミクサ
- 分布形FET送受切換えスイッチ
- 1.9GHz帯偶高調波形ダイレクトコンバージョンSi-MMIC受信フロントエンド
- アンチパラレルダイオードペアを用いた1.9GHz帯Si-MMICダイレクトコンバージョン受信ミクサ
- 狭帯域ループフィルタを用いたカルテジアンフィードバック低ひずみ送信機の変調特性
- BiCMOSプロセスを用いて作成したショットキーダイオードのダイレクトコンバージョン特性
- L帯整合回路一体形Si-MMICのベアチップ時とプラスチックモールド時の特性比較
- 移動体通信用800MHz帯アンテナ切り替えダイバーシティ対応ダウンコンバータモジュール
- 移動体通信用800MHz帯アンテナ切り替えダイバーシティ対応ダウンコンバータモジュール
- 移動体通信用900MHz帯低電流ダウンコンバータモジュール
- Si-MMIC用マイクロストリップ線路損失と基板の抵抗率との関係
- カルテジアンフィードバック形L帯送信ひずみ補償装置
- L帯整合回路一体形Si-MMIC低雑音増幅器
- デュアルゲートFETを用いたC帯高アイソレーションスイッチマトリクス
- 等損失化広帯域反射形移相器
- 電磁界シミュレーションを用いた抵損失オンチップ整合回路用Si基板の基板抵抗率の検討
- SC-7-4 電磁界シミュレーションを用いた低損失オンチップ整合回路用Si基板の基板抵抗率の検討
- 補間ロードプル・ソースプルデータを用いた多段電力増幅器モジュールの大信号特性計算プログラム
- 高抵抗Si基板上に作成したバイポーラトランジスタの高周波モデリング(マイクロ波電力応用/一般)
- 高抵抗Si基板上に作成したバイポーラトランジスタの高周波モデリング
- SC-2-2 高抵抗Si基板上に作成したバイポーラトランジスタの高周波モデリングと5.8GHz帯ICへの適用
- Ka帯MMIC4ビット減衰器
- インダクタ内蔵FETスイッチ
- 抵抗整合回路を用いたハイパス/ローパス形移相器
- 1.9GHz帯整合回路一体形Si-MMIC受信フロントエンド
- 1.9GHz帯整合回路一体形Si-MMIC受信フロントエンド
- C-2-9 高抵抗Si基板上に作成した5.8GHz帯Si-MMICダブルバランスミクサ
- 高抵抗Si基板上に作成した5.8GHz帯Si-MMICフロントエンド
- 高抵抗Si基板上に作成した5.8GHz帯整合回路一体形Si-MMIC低雑音増幅器
- BiCMOSプロセスを用いて作成したL帯Si-MMICショットキーダイオードミクサ
- FET直列装荷形2ビット一体化ローデッドライン移送器
- 広帯域分布形FETスイッチ
- 270GHz帯イメージリジェクションSISミクサ
- ETC用6GHz帯GaAs MMIC送受信フロントエンド
- ETC用6GHz帯GaAs MMIC送受信フロントエンド
- 狭帯域ベースバンドループフィルタを用いたカルテジアンフィードバック低ひずみ送信機
- 狭帯域ベースバンドループフィルタを用いたカルテジアンフィードバック低ひずみ送信機
- Si-MOSFETスイッチングデバイス (特集 高周波実装技術)