Si-MOSFETを用いたL帯SPDTスイッチ
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概要
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移動体通信分野におけるアンテナ切り換えや送受切り換え等への適用をめざし,比較的低価格なSiデバイスであるMOSFETを用いたSPDT(Single Pole Double Throw)スイッチの検討を行った.ここでは,Si基板の比抵抗が低いことを考慮したFETのマイクロ波帯簡易等価回路,および,MOSFETを用いたL帯SPDTスイッチの試作結果について述べる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
末松 憲治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
伊山 義忠
三菱電機株式会社鎌倉製作所
-
重松 智徳
三菱電機株式会社
-
池田 龍彦
三菱電機
-
池田 龍彦
三菱電機株式会社
-
森脇 孝雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
末松 憲治
三菱電機株式会社
-
伊山 義忠
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
森脇 孝雄
三菱電機
-
森脇 孝雄
三菱電機株式会社
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