Si-MOSFETを用いたL帯SPDTスイッチ
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概要
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Si-MOSFETのマイクロ波帯簡易等価回路を新たに提案し,この等価回路の定数値とFET直並列構成SPDTスイッチの性能との関係,および, MOSFETとSPDTスイッチの試作結果について述べている。 まず,Si基板の比抵抗が低いことを考慮して新たに導入した並列寄生抵抗を含むM0SFETの等価回路定数とSPDTスイッチの反射損,挿入損,アイソレーションとの関係式を示す。ついで,この関係式を用いた計算結果から,並列寄生抵抗が挿入損に及ほす影響について述べる。さらに,M0SFETの試作によって求めた,マイクロ波帯での等価回路定数値を示す。SPDTスイッチの試作によって,測定値と,MOSFET等価回路を用いて行ったシミュレーション値とがよく一致する結果を得,ここで提案したMOSFET等価回路の有効性を確認できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-21
著者
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末松 憲治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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伊山 義忠
三菱電機株式会社鎌倉製作所
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重松 智徳
三菱電機株式会社
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池田 龍彦
三菱電機
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池田 龍彦
三菱電機株式会社
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森脇 孝雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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末松 憲治
三菱電機株式会社
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伊山 義忠
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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森脇 孝雄
三菱電機
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森脇 孝雄
三菱電機株式会社
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