茶木 伸 | 三菱電機
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概要
関連著者
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茶木 伸
三菱電機
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茶木 伸
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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山中 宏治
三菱電機 情報技総研
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中山 正敏
三菱電機株式会社
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大塚 浩志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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大塚 浩志
三菱電機株式会社
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中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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茶木 伸
三菱電機(株)電子システム研究所
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Yamanaka Koji
Information Technology R&d Center
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平野 嘉仁
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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平野 嘉仁
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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佐々木 善伸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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佐々木 善伸
三菱電機株式会社
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佐々木 善伸
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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湯之上 則弘
三菱電機(株)通信機製作所
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山中 宏治
三菱電機(株)
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高木 直
三菱電機株式会社
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中原 和彦
三菱電機株式会社
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伊山 義忠
三菱電機株式会社鎌倉製作所
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山中 宏治
三菱電機株式会社
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伊山 義忠
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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山内 和久
三菱電機株式会社
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山内 和久
三菱電機
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中山 正敏
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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平野 嘉仁
三菱電機(株)
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中山 正敏
三菱電機(株)
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井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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高木 直
三菱電機
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井上 晃
三菱電機株式会社
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津山 祥紀
三菱電機株式会社
-
高木 直
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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中原 和彦
三菱電機
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塚原 良洋
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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遠藤 邦浩
三菱電機株式会社
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遠藤 邦浩
三菱電機株式会社 鎌倉製作所
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室井 浩一
三菱電機株式会社
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安藤 直人
三菱電機
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塚原 良洋
三菱電機 高周波光デバイス製作所
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安藤 直人
三菱電機株式会社
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石田 多華生
三菱電機株式会社
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井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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石田 修己
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機
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飯田 明夫
三菱電機
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中島 康晴
三菱電機株式会社
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能登 一二三
三菱電機株式会社
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能登 一二三
三菱電機(株)
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塚原 良洋
三菱電機株式会社
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石田 多華生
三菱電機
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石田 多華生
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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Noto Hifumi
Information Technology R&d Center
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Inoue Akira
Information Technology R&d Center
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井上 晃
Information Technology R&d Center
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中山 正敏
三菱電機
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高木 直
東北大学電気通信研究所
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井上 晃
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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加藤 隆幸
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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湯之上 則弘
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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米山 務
東北大学電気通信研究所
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飯田 明夫
三菱電機株式会社
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重松 智徳
三菱電機株式会社
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稲見 和喜
三菱電機鎌倉製作所
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中根 正文
三菱電機株式会社
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加藤 隆幸
三菱電機株式会社
-
稲見 和喜
三菱電機株式会社
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神谷 信之
三菱電機株式会社
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大塚 浩志
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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半野 嘉仁
三菱電機株式会社
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松林 弘人
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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津山 祥紀
三菱電機(株)通信機製作所
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加藤 隆幸
三菱電機
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松林 弘人
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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中根 正文
三菱電機
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湯之上 則弘
三菱電機株式会社
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宮崎 守泰
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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森 一富
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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桑田 英悟
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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下沢 充弘
三菱電機株式会社
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伊東 健治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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下沢 充弘
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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末松 憲治
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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伊東 健治
三菱電機(株) モバイルターミナル製作所
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金谷 康
三菱電機株式会社
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河野 正基
三菱電機株式会社
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藤岡 孝司
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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三井 康郎
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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高木 直
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
森 一富
三菱電機株式会社
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伊東 健治
三菱電機株式会社
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竹内 紀雄
三菱電機株式会社
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宮崎 守泰
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
佐々木 善伸
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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笠原 通明
三菱電機株式会社
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伊山 義忠
三菱電機 情報技術総合研究所
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池田 幸夫
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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三井 康郎
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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湯川 秀憲
三菱電機株式会社
-
藤岡 孝司
三菱電機株式会社
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宮崎 守泰
三菱電機株式会社
-
森本 卓男
三菱電機株式会社
-
桑田 英悟
三菱電機株式会社
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能登 一ニ三
三菱電機株式会社
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伊山 義忠
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
宮崎 守泰
三菱電機(株)
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川野 肇
三菱電機株式会社
-
古屋 輝雄
三菱電機株式会社
-
池田 幸夫
島田理化工業株式会社
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木村 実人
三菱電機株式会社
-
西谷 和雄
三菱電機株式会社
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谷野 憲之
光マイクロ波デバイス開発研究所
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佐々木 善伸
三菱電機株式会社北伊丹事業所
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塚原 良洋
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
湯川 秀範
三菱電機株式会社
-
茶木 伸
三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
青野 眞司
三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
安藤 直人
三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
佐々木 善伸
三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
谷野 憲之
三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
谷野 憲之
三菱電機
-
重松 智徳
三菱電機(株)電子システム研究所
-
中根 正文
三菱電機(株)電子システム研究所
-
飯田 明夫
三菱電機(株)電子システム研究所
-
牟田 哲也
三菱電機株式会社 半導体基盤技術統括部
-
川野 肇
三菱電機鎌倉製作所
-
河野 正基
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
竹内 紀雄
三菱電機
-
宮崎 守泰
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
塚原 良洋
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
池田 幸夫
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
能登 一二三
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
下沢 充弘
三菱電機
著作論文
- 共振用インダクタを内蔵したミリ波帯FETスイッチ
- C-2-29 10%の比帯域を有するC帯内部整合GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 集中定数化X帯MMIC移相器
- C-2-19 5.8GHz高調波整合型内部整合GaN高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-29 抵抗装荷型安定化回路によるC帯GaN HEMT高出力増幅器の利得平坦化検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-37 FET近傍に2倍波反射オープンスタブを有するC帯GaN HEMT高出力増幅器(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-30 直列線路装荷ショートスタブ形出力整合回路を用いたX帯広帯域MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 分布形FET送受切換えスイッチ
- C-2-34 埋込みPHS構造HEMTを用いた0.5W Q帯電力増幅器MMIC
- 0.7W Ka帯電力増幅器MMIC
- スパイラルインダクタの低損失化
- デュアルゲートFETを用いたC帯高アイソレーションスイッチマトリクス
- 分布形FETスイッチを用いたスイッチマトリクスの等利得化
- レイアウト最適化技術を用いたX帯小型4段低雑音増幅器の設計
- 線路間結合を考慮したX帯小型MMIC増幅器の設計
- レイアウトからの部分的バックアノーテーション機能を有するMMIC用CAD
- GaAs MMIC用CADシステム : レイアウトを考慮した設計環境
- 線路間結合を考慮したX帯小型MMIC増幅器の設計
- Ka帯6W MMIC電力増幅器
- Ka帯6W MMIC電力増幅器(ミリ波技術,一般)
- C-2-45 マルチ給電分配回路を用いたKa帯3W MMIC電力増幅器(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- 0.4W Q帯電力増幅器MMIC
- GaN HEMT広帯域高効率増幅器(マイクロ波,超伝導)
- GaN HEMT広帯域高効率増幅器(マイクロ波,超伝導)
- Ka帯6W MMIC電力増幅器
- C-2-57 ミリ波帯RFプローブパッド構造の検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
- C-2-4 Ka帯6W MMIC電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- マルチ給電分配回路を用いたKa帯5W MMIC電力増幅器
- Ka帯MMIC4ビット減衰器
- インダクタ内蔵FETスイッチ
- 広帯域分布形FETスイッチ
- 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET (エレクトロニクスシミュレーション)
- 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET (マイクロ波)
- 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET (環境電磁工学)
- C-2-9 入出力ともに2倍波処理したX帯高効率内部整合GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
- 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
- C-2-24 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
- C-2-21 330W出力62%電力付加効率S帯内部高調波整合型GaN FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 高調波整合による100W超出力GaN高出力増幅器の効率向上についての検討(一般)