Inoue Akira | Information Technology R&d Center
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概要
関連著者
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Inoue Akira
Information Technology R&d Center
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井上 晃
三菱電機株式会社
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井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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平野 嘉仁
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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平野 嘉仁
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
山中 宏治
三菱電機株式会社
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井上 晃
Information Technology R&d Center
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Yamanaka Koji
Information Technology R&d Center
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山内 和久
三菱電機
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内田 浩光
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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山内 和久
三菱電機株式会社
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大塚 浩志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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内田 浩光
三菱電機株式会社
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内田 浩光
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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大塚 浩志
三菱電機株式会社
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中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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中山 正敏
三菱電機株式会社
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井上 晃
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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山中 宏治
三菱電機 情報技総研
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鈴木 敏
三菱電機
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山本 和也
三菱電機株式会社
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山本 和也
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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鈴木 敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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鈴木 敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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能登 一二三
三菱電機(株)
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Noto Hifumi
Information Technology R&d Center
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大塚 浩志
三菱電機
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森 一富
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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桑田 英悟
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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山中 宏治
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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森 一富
三菱電機株式会社
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湯川 秀憲
三菱電機株式会社
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能登 一二三
三菱電機株式会社
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Angelov I.
Chalmers工科大
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桑田 英悟
三菱電機株式会社
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茶木 伸
三菱電機株式会社
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湯川 秀範
三菱電機株式会社
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宮下 美代
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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Angelov Iltcho
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
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宮下 美代
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
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茶木 伸
三菱電機
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Angelov Iltcho
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
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山中 宏治
三菱電機(株)
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米田 尚史
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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宮崎 守泰
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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松塚 隆之
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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山本 和也
三菱電機高周波光デバイス製作所
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久留須 整
三菱電機高周波光デバイス製作所
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宮下 美代
三菱電機高周波光デバイス製作所
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鈴木 敏
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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前田 憲一
三菱電機株式会社
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宮崎 守泰
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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鈴木 敏
三菱電機高周波光デバイス製作所
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森脇 孝雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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宮崎 守泰
三菱電機株式会社
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山内 和久
三菱電機(株)
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米田 尚史
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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米田 尚史
三菱電機株式会社
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大石 敏之
三菱電機株式会社
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大石 敏之
三菱電機(株)
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津山 祥紀
三菱電機株式会社
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久留須 整
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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宮崎 守泰
三菱電機(株)
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米田 尚史
三菱電機 情報技総研
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井上 晃
三菱電機高周波光デバイス製作所
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半野 嘉仁
三菱電機株式会社
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森脇 孝雄
三菱電機株式会社
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宮崎 守泰
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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前田 憲一
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
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森脇 孝雄
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
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松塚 隆之
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
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松塚 隆之
三菱電機株式会社
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井上 晃
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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鈴木 敏
三菱電機株式会社
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平野 嘉仁
三菱電機(株)
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能登 一二三
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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大石 敏之
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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小西 善彦
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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美保 諭志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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寺西 絵理
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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桐越 祐
三菱電機(株)通信機製作所
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天清 宗山
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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金谷 康
三菱電機株式会社
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後藤 清毅
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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河野 正基
三菱電機株式会社
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宮下 美代
三菱電機株式会社
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大和田 哲
三菱電機株式会社
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桐越 祐
三菱電機株式会社
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重永 晃一
三菱電機株式会社 通信機製作所
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寺西 絵里
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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湯川 秀憲
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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大和田 哲
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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両川 勇武
三菱電機株式会社
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Thorsell Mattias
Chalmers University of Technology
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Andersson Kristoffer
Chalmers University of Technology
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天清 宗山
三菱電機株式会社
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平岩 剛
三菱電機株式会社
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美保 諭志
三菱電機株式会社
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大塚 浩志
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
桐越 祐
三菱電機 通信機製作所
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重永 晃一
三菱電機株式会社
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大塚 浩治
三菱電機株式会社
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茶木 伸
三菱電機(株)電子システム研究所
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津山 祥紀
三菱電機(株)通信機製作所
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後藤 清毅
三菱電機株式会社
-
河野 正基
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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YAMANAKA Koji
Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation
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小西 善彦
三菱電機株式会社
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向井 謙治
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
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THORSELL Mattias
GHz Centre, Dep. of Microtechnology and Nanoscience (MC2), Microwave Electronics Laboratory, Chalmer
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ANDERSSON Kristoffer
GHz Centre, Dep. of Microtechnology and Nanoscience (MC2), Microwave Electronics Laboratory, Chalmer
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INOUE Akira
Information Technology R&D Center
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NOTO Hifumi
Information Technology R&D Center
-
Andersson Kristoffer
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
-
Thorsell Mattias
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
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向井 謙治
三菱電機株式会社
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重永 晃一
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
著作論文
- 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型帯域阻止フィルタ : 回路合成理論に基づくウィルキンソン分配器設計ツールの開発事例(MSTセッション)
- ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ
- C-2-37 並列ダイオードリニアライザを適用したVHF帯10倍帯域低歪40W増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-100 右手/左手系並列線路の反共振現象とそのフィルタ応用(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-21 帯域通過/遮断切替回路を有する増幅器における帯域切替効果の検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-33 GaN HEMTの半物理的な非線形モデルの提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-22 対向インラインスタブを用いた高調波処理による内部整合FETの高効率化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-2 固有伝送モードを用いた大信号発振解析法(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器
- 薄膜抵抗からなるポスト壁導波路無反射終端器(マイクロ波,EMC,一般)
- 薄膜抵抗からなるポスト壁導波路無反射終端器(マイクロ波,EMC,一般)
- CS-4-1 反射波注入法を用いた周波数可変増幅器の広帯域化(CS-4.無線回路の広帯域・マルチバンド化技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- C-2-23 半物理的な非線形モデルの高周波特性計算(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-21 X帯55W内部整合GaN-FET : BPF設計思想に基づく広帯域インピーダンス整合回路(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-36 ダイオード検波形歪み補償バイアス回路を用いた低歪み電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-23 超広帯域高効率MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-37 FET近傍に2倍波反射オープンスタブを有するC帯GaN HEMT高出力増幅器(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-28 L帯広帯域E級GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-82 負の群遅延時間に対する回路パラメータ依存性の検討(C-2. マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- GaN HEMT広帯域高効率増幅器(マイクロ波,超伝導)
- C-2-57 ミリ波帯RFプローブパッド構造の検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
- GaN HEMTを用いたS帯高耐電力低雑音増幅器
- C-2-69 方形薄膜抵抗を用いたポスト壁導波路無反射終端器(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-10-10 カプラ及びアッテネータ内蔵型W-CDMA用HBT電力増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-9 HBT電力増幅器におけるアナログ方式***電流制御の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- On the Large Signal Evaluation and Modeling of GaN FET
- フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)