フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
本報告では,無線通信用に新しく検討した方向性結合器の設計と実験結果について述べる.GaAs-HBTプ口セスを用いて検討した方向性結合器(力プラ)は,小型化のために結合長を1/4波長の1/10程度に短縮した側結合型スパイラル形状を採用した.このスパイラル型力プラのアイソレーション特性及び方向性を所望の周波数帯域でさらに改善するために,アイソレーションポートと結合ポート間に180°移相器と減衰器からなるフィードバック回路を装荷する方式を検討した.検討したフィードバック回路は,受動素子で構成したものと能動素子(1段のHBT増幅器)で構成したものの2種類である.本力プラ単体のSパラメータを実測した結果,フィードバック無しの力プラに対して,受動素子型は周波数2.6GHzで9dBの方向性の改善,能動素子型は周波数2GHzで24dBの方向性の改善を確認した.また力プラと力レントミラー型検波回路を組み合わせた試験ICに対して実施したVSWR=4:1の負荷変動時の検波電力誤差は,前記周波数においてフィードバック回路無しの場合±0.6dB,受動素子型で±0.25dB,能動素子型で±0.13dB以内という良好な特性が得られ,本フィードバック回路の有効性を確認した.
- 2011-01-06
著者
-
山本 和也
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
久留須 整
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
宮下 美代
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
鈴木 敏
三菱電機
-
山本 和也
三菱電機株式会社
-
井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
井上 晃
三菱電機株式会社
-
山本 和也
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
鈴木 敏
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
鈴木 敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
鈴木 敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
久留須 整
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
井上 晃
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
宮下 美代
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
宮下 美代
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
-
Inoue Akira
Information Technology R&d Center
関連論文
- 2.5/3.5GHz帯WiMAX用HBT MMIC電力増幅器モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 無線通信用カレントミラー型GaAs HBT RF検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- GaAs方向性結合器付き検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-22 10Gbit/sフリップフロップ内蔵分布型EA変調器駆動IC
- 未使用線路を抵抗終端したKu帯可変遅延線路(マイクロ波電力応用/一般)
- 未使用線路を抵抗終端したKu帯可変遅延線路
- C-2-23 共振抑圧機能を有するK帯4bit可変遅延線路
- 低損失・定位相Ku帯6ビットMMIC可変減衰器(可変回路)(超高周波アナログ可変機能デバイス回路技術論文特集)
- Ku帯小型5ビットMMIC移相器
- C-2-7 π型移相器回路を用いた Ku 帯小型 5 ビット MMIC 移相器
- 自己切替フィルタを用いたKu帯5bit移相器
- C-2-6 LC並列共振回路を用いた低位相変化アナログFET可変減衰器
- 容量装荷による直並列型FET-SPDTスイッチの高アイソレーション化
- 直列/並列LC回路切替方式広帯域反射型移相器MMIC
- C-2-20 直列並列回路切替方式反射型90゜移相器の広帯域化
- C-2-17 反射防止FET装荷型スイッチを用いたKa帯4bit可変遅延線路
- 直並列共振回路切替型超広帯域反射型移相器
- C-2-24 Ku帯6ビットMMIC可変減衰器
- C-2-22 Ku帯小形・低損失6ビットGaAs-MMIC移相器
- Ku帯小形・低損失6ビットGaAs-MMIC移相器
- 高抵抗基板とハイブリッドトレンチ分離を用いた0.18μmSOI技術のRF/アナログ混載への応用について
- 1.4W, K帯小型モノリシック電力増幅器
- Ka帯中出力PHEMT MMIC増幅器
- C-10-1 受動移相器を内蔵したカプラ付きGaAs HBT RF検波回路の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 能動移相器を内蔵したカプラ付きGaAs HBT RF検波回路の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-17 GaAs基板上に作製したカプラ付きHBT RF検波回路の基本検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-16 増幅段バイパス型利得切替HBT増幅器に関する検討(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 2.5/3.5GHz帯InGaP HBT電力増幅器モジュール(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-1 GaAs HBT RF検波回路に関する基本検討(2)(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-8 低レファレンス電圧動作HBT電力増幅器の利得・位相特性の解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- アクティブボディ効果を利用した低電源電圧動作可能なSOI CMOS低雑音増幅器
- レジスティブミクサの動作解析
- デュアルオフセット構造を有する135GHzf_SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- C-10-12 マイクロ波時間波形測定によるHBTの最大動作領域解析
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
- GSM/EDGEデユアルモード,900/1800/1900MHz帯HBT-MMIC電力増幅器モジュール
- GSM/EDGEデュアルモード,900/1800/1900MHz帯HBT-MMIC電力増幅器モジュール
- C-10-8 電力増幅器制御用カレントミラー型バイアス回路
- C-10-17 5GHz帯HBT-MMIC低雑音ドライバとスイッチの試作
- C-10-16 マルチフィンガーHBTの熱均一動作のためのバラスト抵抗設計
- GSM方式携帯電話用HBTパワーアンプ (特集 化合物半導体)
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
- C-10-8 ***電流切替回路による低電圧動作HBT電力増幅器の歪み改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-4 HBT を用いた携帯電話用高効率増幅器における入力高調波整合の効果
- 2.5/3.5GHz帯WiMAX用HBT MMIC電力増幅器モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- レジスティブミクサの動作解析
- C-10-1 1.8V 動作 1.2/2.4GHzCMOS 周波数逓倍器の検討
- 1.8V動作Bluetooth用RF-CMOSトランシーバ
- A-1-14 低電圧動作可能なチャネル選択フィルタを用いて実現した1.8V動作RFCMOSトランシーバLSI
- 2.4GHz帯1.8V動作のCMOS RFフロントエンドICの試作
- C-10-18 0.18μmメッシュアレイMOSFETの高周波特性に関する検討
- 2.4GHz帯Si-CMOS MMICフロントエンド (「VLSI一般」)
- C-10-7 2.4GHz/5.2GHz帯Si-CMOS MMIC低雑音増幅器
- C-10-11 2.4GHz帯 Si-CMOSフロントエンドMMICの試作
- C-10-2 Si-MOSFETの小信号等価回路パラメータ抽出法に関する検討
- 低電圧・広帯域動作CDMA用HBT電力増幅器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 低電圧・広帯域動作CDMA用HBT電力増幅器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
- C-2-28 利得平坦化セルを用いた20-30GHz帯広帯域増幅器
- 携帯端末用HBT電力増幅器,AWAD2006)
- 携帯端末用HBT電力増幅器
- 無線通信用1.2/2.4GHz帯及び2.6/5.2GHz帯CMOS周波数逓倍器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 無線通信用1.2/2.4GHz帯及び2.6/5.2GHz帯CMOS周波数逓倍器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-7 5GHz帯CMOSフロントエンドMMIC
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
- 低電圧動作・高出力WSi/W二層ゲートSAGFET
- フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討 (マイクロ波)
- フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討 (電子デバイス)
- C-2-9 Ku 帯衛星通信用 5bit MMIC 移相器
- 直列/並列LC回路切替方式広帯域反射型移相器MMIC (特集 化合物半導体)
- 直列/並列LC回路切替方式広帯域反射型移相器MMIC
- GaAs方向性結合器付き検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 無線通信用カレントミラー型GaAs HBT RF検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- WiMAX CPE用高出力HBT電力増幅器モジュール (特集 高周波・光デバイス)
- 直並列共振回路切替型超広帯域反射型移相器
- 直並列共振回路切替型超広帯域反射型移相器
- 直並列共振回路切替型超広帯域反射型移相器
- 5GHz帯無線通信用InGaP/GaAs HBT MMIC低雑音増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 5GHz帯無線通信用InGaP/GaAs HBT MMIC低雑音増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 10Gbit/s InGaP/GaAs HBTドライバIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 10Gbit/s InGaP/GaAs HBT ドライバIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-1 10Gbit/s InGap/GaAs HBT ドライバ IC
- C-10-9 GaAs HBT RF検波回路の基本検討(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-1 GaAs AC 結合スタック型ダイオードスイッチの基本特性と減衰器への応用(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 10Gbps EA/LD駆動用IC"ML0XX18シリーズ" (特集 光・高周波デバイス)
- C-10-12 GaAs ダイオードスイッチの RF 基本特性と増幅器への応用
- WiMAX用小型電力増幅器"MGFS38Eシリーズ" (特集 高周波・光デバイス)
- C-10-10 カプラ及びアッテネータ内蔵型W-CDMA用HBT電力増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-9 HBT電力増幅器におけるアナログ方式***電流制御の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 未使用線路を抵抗終端したKu帯可変遅延線路
- フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)