Ka帯中出力PHEMT MMIC増幅器
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概要
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衛星通信機器のキーデバイスとして高性能かつ低コストなKa帯中・高出力増幅器の開発が各所で精力的に進められている。今回我々は同周波数帯での低コストMMIC増幅器として, 回路の小型化に有利な薄膜GaAs基板(50μm厚)及び整合回路に高インピーダンス線路を積極的に用いることによりKa帯中出力PHEMT MMIC増幅器を開発し, 良好な結果を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
石川 高英
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
久留須 整
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
宇土元 純一
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
小丸 真喜雄
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
星 裕之
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
久留須 整
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
星 裕之
三菱電機株式会社
-
星 裕之
神奈川大学工学部
-
小崎 克也
三菱電機(株)マイクロ波デバイス開発研究所
-
石田 多華生
三菱電機(株)マイクロ波デバイス開発研究所
-
宇土元 純一
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
小丸 真喜雄
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
小崎 克也
三菱電機株式会社
-
石川 高英
三菱電機(株)情報電子研究所光・電波機器開発室
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