Pseudomorphic HEMT及びDual Gate GaAs MES-FET MMICのγ線照射効果
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概要
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衛星搭載用として使用される半導体部品として耐放射線性は, 重要な課題である. 今回はマイクロ波素子として重要度の増しているMMICにおいて, 特にミリ波低雑音増幅器に用いられるPseudomorphic HEMT及び可変利得増幅器に用いられるDual Gate GaAs MES-FETについてDC通電しながらγ線照射を行い, 耐放射線性を評価した. この結果, 衛星用として十分な10^7rad以上の耐放射線性を有することを確認した. また, Pseudomorphic HEMTとGaAs MES-FETでは, 劣化メカニズムが異なり, 前者は2次元電子供給層の劣化であり, 後者はゲート近傍の電子トラップ発生によることがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-07-12
著者
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
矢嶋 孝太郎
三菱電機(株)半導体基盤技術統括部
-
佐々木 肇
三菱電機(株)半導体基盤技術統括部
-
水口 澄
三菱電機(株)半導体基盤技術統括部
-
松田 純夫
宇宙開発事業団
-
柏 卓夫
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
松崎 一浩
宇宙開発事業団
-
根本 規生
宇宙開発事業団
-
中村 悦造
宇宙開発事業団
-
阿久津 亮夫
宇宙開発事業団
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社
-
松田 純夫
宇宙航空研究開発機構総合技術研究本部
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
小丸 真喜雄
光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
加藤 隆幸
光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
柏 卓夫
光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
中村 悦造
宇宙開発事業団電子部品技術研究室
-
松崎 一浩
宇宙開発事業団 電子・情報系技術研究部
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