レーザダイオードチップクラック発生メカニズムの解析

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概要

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宇宙開発事業団では宇宙用としての高信頼性を有する短波長・高出力のレーザダイオードを開発中である。その製品の製造工程において温度サイクル試験を行ったところ、電気的・光学的特性不良が発生した。不良サンプルチップの観察の結果、チップにクラックが発生していることか分かり、そのために特性不良が起こったことが分かった。そこで、クラックの発生メカニズムを調査した結果、チップボンド後のアロイ工程中に、チップがダイヤモンドサブマウントから高い熱応力を受けて微小クラックが発生することが分かった。また、その後の温度サイクル試験で発生する熱応力によりクラックが成長し、共振器を壊すことによって特性不良に至ることが分かった。本報告では、クラック発生メカニズムを解明するまでの経緯と結果について示す。
1995-12-15

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