宇宙用100KゲートCMOSゲートアレイのTDDB寿命評価
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概要
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宇宙用100KゲートCMOSゲートアレイのゲート酸化膜について、経時絶縁破壊 (TDDB : Time Dependent Dielectric Breakdown) の評価を行った。評価サンプルは、予備評価用TEG (Test Element Group) と100KゲートCMOSゲートアレイTEGを作成した。TDDB評価方法を検討してTDDB評価治工具の準備をした後、予備評価用TEGと100KゲートCMOSゲートアレイTEGの定電圧TDDB評価を実施し、得られたデータを基に、宇宙用100KゲートCMOSゲートアレイの実デバイス・実使用条件におけるTDDB寿命の推定を行った。その結果、宇宙用100KゲートCMOSゲートアレイで用いられている20nmのゲート酸化膜は、宇宙用機器として使用される年数に対して十分なTDDB寿命を有していることが確認できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-06-20
著者
-
松田 純夫
宇宙開発事業団
-
松崎 一浩
宇宙開発事業団
-
根本 規生
宇宙開発事業団
-
修行 新一
宇宙開発事業団
-
松田 純夫
宇宙航空研究開発機構総合技術研究本部
-
松崎 一浩
宇宙開発事業団 電子・情報系技術研究部
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