宇宙用パワーMOSFETのシングルイベント耐性の評価について
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概要
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21世紀の宇宙活動の一環として、国際協力により進められている有人宇宙ステーション計画において、我が国ではライフサイエンスや材料実験等の様々な実験を行う為の日本実験モジュール(JEM)の開発を行っている。JEMに用いられる電源装置は、これまでの大型人工衛星以上に高電力化(25KW)、高電圧化(150V)が要求されており、変換効率の良い電源用デバイスが必要となり、宇宙用として充分な信頼性を保証するスイッチングダイオードや大容量コンデンサ等の開発を行っている。ここでは、その一つとして低オン抵抗で高速スイッチング素子として優れた性能を有するパワーMOSFETの開発について、耐放射線性(シングルイベントバーンアウト耐性)中心に検討結果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-12-10
著者
-
菅野 徹
宇宙開発事業団
-
田村 高志
宇宙開発事業団
-
久保山 智司
宇宙開発事業団
-
松田 純夫
宇宙開発事業団
-
黒崎 忠明
宇宙開発事業団
-
久保山 智司
宇宙航空研究開発機構
-
田村 高志
宇宙航空研究開発機構
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