SOI構造における重イオン誘起電荷の測定
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概要
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1ミクロンまでビームを絞り込むことのできる重イオンマイクロビームと広帯域サンプリングシステムで構築した測定システムを用いて、SOIシリコンpn接合ダイオードで発生するシングルイベント過渡電流の波形測定を行った。15MeVの炭素および酸素イオンが入射する時に収集される電荷量とSOI層内で発生する電荷量とは良く一致する結果が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-02-19
著者
-
松田 純夫
宇宙開発事業団
-
根本 規生
宇宙開発事業団
-
大西 一功
日本大学理工学部電子情報工学科
-
塩野 登
日本電子部品信頼性センター
-
梨山 勇
日本原子力研究所高崎研究所
-
平尾 敏雄
日本電子力研究所
-
穴山 汎
日本電子部品信頼センター
-
梨山 勇
日本電子力研究所
-
平尾 敏雄
日本原子力研究開発機構:日本大学
-
松田 純夫
宇宙航空研究開発機構総合技術研究本部
-
平尾 敏雄
日本原子力研究所 高崎研究所
-
平尾 敏雄
原研
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