平尾 敏雄 | 日本原子力研究所 高崎研究所
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概要
関連著者
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平尾 敏雄
日本原子力研究所 高崎研究所
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平尾 敏雄
日本原子力研究開発機構:日本大学
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平尾 敏雄
日本原子力研究開発機構
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平尾 敏雄
原研
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梨山 勇
日本原子力研究所高崎研究所
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松田 純夫
宇宙開発事業団
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小野田 忍
日本原子力研究開発機構
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松田 純夫
宇宙航空研究開発機構総合技術研究本部
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小野田 忍
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究所
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大島 武
日本原子力研究開発機構
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久保山 智司
宇宙開発事業団
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平尾 敏雄
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
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小野田 忍
原子力研究開発機構
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高橋 芳浩
日本大学理工学部
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久保山 智司
宇宙航空研究開発機構
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高橋 芳宏
日本大学電子工学科
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高橋 芳浩
日本原子力研究開発機構:日本大学
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松田 純夫
宇宙開発事業団技術研究部
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鈴木 隆博
日本アビオニクス株式会社
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杉本 憲治
宇宙開発事業団
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大島 武
原子力研究開発機構
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根本 規生
宇宙開発事業団
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久保山 智司
宇宙開発事業団技術研究本部技術研究部
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鈴木 隆博
宇宙開発事業団
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広瀬 孝幸
菱栄テクニカ
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大平 秀春
菱栄テクニカ
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小野日 忍
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
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黒田 能克
三菱重工業
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酒井 卓郎
原子力機構
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新藤 浩之
宇宙航空研究開発機構
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神谷 富裕
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
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大島 武
原研高崎
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大嶋 武
原研高崎
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大西 一功
日本大学理工学部電子情報工学科
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池田 博一
総合研究大学院大学
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黒田 能克
三菱重工業株式会社
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牧野 高紘
総合研究大学院大学
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柳川 善光
東京大学大学院
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小林 大輔
総合研究大学院大学
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廣瀬 和之
総合研究大学院大学
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齋藤 宏文
東京大学大学院
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高橋 大輔
三菱重工業株式会社
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石井 茂
三菱重工業株式会社
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草野 将樹
三菱重工業株式会社
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池淵 博
三菱重工業株式会社
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新藤 浩之
宇宙開発事業団
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修行 新一
宇宙開発事業団
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関口 弘喜
電子技術総合研究所量子放射部
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西島 俊二
電子技術総合研究所量子放射部
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濱野 毅
三菱電機
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神谷 富裕
日本原子力研究開発機構
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神谷 富裕
日本原子力研究所
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福田 盛介
宇宙航空研究開発機構
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西島 俊二
電子技術総合研究所
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齋藤 宏文
宇宙航空研究開発機構
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福田 盛介
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部(JAXA
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神谷 富裕
原研高崎
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酒井 卓郎
日本原子力研究所高崎研究所
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池田 博一
株式会社クボタ開発センター
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斎藤 宏文
宇宙研
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塩野 登
日本電子部品信頼性センター
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伊藤 久義
日本原子力研究所高崎研究所
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伊藤 久義
日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部
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福田 盛介
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部
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池田 博一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部
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杉本 憲治
高信頼性部品(株)
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芝田 利彦
日本大学理工学部電子情報工学科
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平尾 敏雄
日本電子力研究所
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穴山 汎
日本電子部品信頼センター
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梨山 勇
日本電子力研究所
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斎藤 宏文
宇宙航空研究開発機構
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平尾 敏雄
原研 高崎研
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府金 賢
日本原子力研究開発機構
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池田 博一
総合研究大学院大学:宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部
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小林 大輔
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部
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内藤 豊
原研高崎
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齋藤 宏文
宇宙研
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永井 由紀
菱栄テクニカ(株)
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福田 盛介
Institute Of Space And Astronautical Science Jaxa
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鹿瀬 和之
総合研究大学院大学:宇宙科学研究本部
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石井 茂
三菱重工株式会社
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内藤 豊
日本原子力研究所 高崎研究所
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府金 賢
日本原子力研究開発機構:日本大学
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高橋 大輔
三菱重工業株式会社名古屋誘導推進システム製作所
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平尾 敏雄
日本原子力研究所高崎研究所
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福田 盛介
宇宙航空研究開発機構/宇宙科学研究本部
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大島 武
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
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牧野 高紘
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
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小倉 俊太
日本大学理工学部
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牧野 高紘
日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
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牧野 高紘
日本原子力研究開発機構半導体耐放射線性研究グループ
著作論文
- 宇宙用論理LSIで発生する放射線誘起スパイクノイズの研究(宇宙応用シンポジウム-観測・通信衛星の軌道上評価と将来衛星搭載機器開発-)
- 民生用DRAMに対する低ドーズ率ガンマ線照射試験
- 宇宙用及び民生用バイポーラトランジスタのシングルイベント耐性
- 宇宙用及び民生用バイポーラトランジスタのシングルイベント耐性
- MOS構造における重イオン照射誘起電流
- SOI構造における重イオン誘起電荷の測定
- C-10-6 MOS構造デバイスにおける重イオン照射誘起電流(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 高エネルギーイオン・マイクロビームによる半導体デバイス分析技術の研究 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
- 民生用パワートランジスタのSEB評価結果
- 民生用大容量メモリのシングルイベントアップセット耐性評価
- 固体中のシングルイベント計測とその応用
- TIARAにおけるシングルイオン照射技術
- SOI中に生成した収集電荷の測定について (第10回タンデム加速器及びその周辺技術の研究会--1997年7月7日、8日 国立環境研究所大山記念ホール) -- (イオンビーム応用(2))
- シングルイベント発生機構解明に関する研究
- シングルイベント誘起ピコ秒過渡電流の計測と放射線損傷
- MOS構造の重イオン照射誘起電流及びトータルドーズ効果(半導体材料・デバイス)
- 1-3 SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討(セッション1「試験と要素技術」)
- 宇宙用論理LSIで発生する放射線誘起スパイクノイズの研究