C-10-6 MOS構造デバイスにおける重イオン照射誘起電流(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-03-05
著者
-
大島 武
日本原子力研究開発機構
-
大島 武
原子力研究開発機構
-
小野田 忍
原子力研究開発機構
-
大島 武
原研高崎
-
大嶋 武
原研高崎
-
高橋 芳浩
日本大学理工学部
-
小野田 忍
日本原子力研究開発機構
-
平尾 敏雄
日本原子力研究開発機構
-
高橋 芳宏
日本大学電子工学科
-
平尾 敏雄
日本原子力研究開発機構:日本大学
-
高橋 芳浩
日本原子力研究開発機構:日本大学
-
府金 賢
日本原子力研究開発機構
-
府金 賢
日本原子力研究開発機構:日本大学
-
平尾 敏雄
日本原子力研究所 高崎研究所
-
小野田 忍
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究所
-
平尾 敏雄
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
-
小野日 忍
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
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