陽電子消滅法を用いた立方晶シリコンカーバイドにおける点欠陥の評価 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)

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概要

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• 電子技術総合研究所の論文

著者

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所高崎研究所

• Kawasuso A.

  東北大金研

• 河裾 厚男

  日本原子力研究所・高崎

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