21pHA-8 反射高速陽電子回折による歪み導入Sn/Ge(111)表面の構造解析(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 2011-08-24

著者

• 深谷 有喜

  原子力機構先端基礎研

• 河裾 厚男

  原子力機構先端基礎研

• 河裾 厚男

  (独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター

• 河裾 厚男

  東北大・金研

• 望月 出海

  原子力機構先端基礎研

• 望月 出海

  (独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター

• Kawasuso A.

  東北大金研

• 河裾 厚男

  日本原子力研究開発機構

• 河裾 厚男

  原子力機構 先端基礎研

• 深谷 有喜

  (独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研究センター

• 望月 出海

  (独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研究センター

• 深谷 有喜

  原子力機構・先端基礎研センター

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