13a-DK-6 Si中の電子線照射誘起欠陥の焼鈍挙動 : 陽電子寿命測定法による分析

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1993-09-20

著者

• 末沢 正志

  東北大金研

• 角野 浩二

  東北大金研

• 長谷川 雅幸

  東北大金研

• 末澤 正志

  東北大金研

• 山口 貞衛

  千葉工業大学工学部

• 山口 貞衛

  東北大金研

• 角野 浩二

  新日鐵・技術開発

• 河裾 厚男

  東北大金研

• 岡田 漱平

  原研高崎

• 須永 博美

  原研高崎

• 岡田 漱平

  日本原子力研究所・高崎

• Kawasuso A.

  東北大金研

• 須永 博美

  日本原子力研究所高崎研究所

• 河裾 厚男

  日本原子力研究所・高崎

関連論文

• 22pHT-4 ナノ構造変化の解明に基づいた原子炉材料の劣化予測の重要性(22pHT 領域10シンポジウム:グリーンテクノロジーにおける格子欠陥・ナノ構造の役割,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 29a-RC-4 窒素及び酸素を添加したシリコンの光吸収
• 2p-C-9 シリコン結晶中の転位挙動に対する固溶効果
• 7a-M-6 強力X線トポグラフィーによるSi中の転位の易動度のその場測定 II
• 7p-M-10 X線TVトポグラフィーによるSi中の転位の易動度のその場測定
• ダイバータヒートシンクCu-Cr-Zr合金における析出物の3DAP観察
• 21aRB-5 ポリSiゲート中の不純物原子の粒界偏析の3次元観察(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24pYF-13 3次元アトムプローブによるゲート酸化膜/シリコン基板界面へのAs原子偏析の観察(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 29pRB-2 中性子照射したFe-CuおよびFe-Cu-Mnモデル合金中の陽電子消滅温度依存性(29pRB 格子欠陥・ナノ構造(金属・陽電子・水素・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27aRB-3 陽電子消滅法による低温電子線照射したSi-Ge単結晶中の空孔型欠陥の回復挙動(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 陽電子量子ドット閉じ込めを利用したFe中Cuナノ析出物の寸法評価法の開発(分析・解析)
• 24pYF-1 陽電子消滅法を用いた低温電子線照射したSi中の空孔型欠陥の低温測定(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22pTD-3 電子スピン共鳴および陽電子消滅法による硼酸ガラス中の照射欠陥(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20aXC-5 イオン結晶および氷中のBloch-Psの2次元角相関運動量分布(X線・粒子線(陽電子消滅),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20aXC-6 Fe中のCuナノ析出物への陽電子捕獲機構(X線・粒子線(陽電子消滅),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25aXB-2 Fe-Cu合金中の陽電子拡散係数 : Cu濃度および測定温度依存性(25aXB 陽電子消滅・コンプトン散乱,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 30aXD-6 氷中Psの陽電子消滅2次元角相関(30aXD X線,粒子線(陽電子消滅),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27pXD-3 低速陽電子ビーム装置を用いたFeおよびFe-Cu合金中の陽電子拡散係数測定(27pXD 格子欠陥・ナノ構造(金属・電子状態・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 30p-ZN-10 n型及びP型シリコン中の鉄拡散の活性化エネルギー
• 29p-K-3 シリコン中の鉄 : インジウム対形成過程
• 24a-T-4 シリコン中の鉄-アクセプタ対の形成過程
• IndentationによりGe単結晶に導入された歪および転位配列のX線的研究 : 格子欠陥
• 31a-YC-2 シリコン中の水素・酸素・原子空孔複合体の形成過程
• 29p-YC-7 シリコン中の鉄・ホウ素対の光誘起反応
• 4p-YG-7 Si-Geバルク単結晶の育成とフォトルミネッセンスによる評価
• 4a-YG-4 シリコン中の鉄・アクセプター対再結合促進欠陥反応
• 4a-YG-2 ゲルマニウムを添加した砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
• 29p-P-6 電子ビーム励起による半導体の欠陥評価 : CL, EBIC, SDLTS
• 28p-P-11 変形したシリコン結晶中からのD-バンド発光と遷移金属汚染
• 14a-A-5 電子線照射により原子複空孔を導入したSiの陽電子消滅2次元角相関
• 13a-DK-6 Si中の電子線照射誘起欠陥の焼鈍挙動 : 陽電子寿命測定法による分析
• 13a-DK-4 Si中の複原子空孔に起因する赤外吸収
• 12p-DK-2 シリコン中の転位とDバンド発光
• 1a-X-7 電子線照射によって生じたシリコン中原子複空孔の陽電子捕獲
• 29a-H-11 Si中の転位と不純物窒素との相互作用
• 31pYG-1 陽電子消滅 2 次元角相関法による Si 中性複空孔のヤン・テラー効果の研究
• 8p-F-6 Ge結晶の塑性変形のdislocation dynamics
• 8p-F-5 Ge結晶の変形特性の温度および変形速度依存性
• 1p-TA-4 変形中のゲルマニウム中の転位分布とすべり帯分布との関係
• 11a-Q-8 変形中のGe単結晶における転位配列の変形速度依存性
• 11a-Q-7 前降伏段階に於けるGe単結晶中の転位配列の直接観察
• 29pYC-7 水素添加シリコン中の3d遷移金属不純物
• 14a-G-1 Indentationによる変形をあたえたGe中の転位の挙動
• 24a-T-10 電子線誘起電流法を用いたシリコン中の転位の研究
• 27p-H-8 Si中の複原子空孔の陽電子消滅法を用いた研究
• 27a-ZN-4 塑性変形した半導体の陽電子消滅
• 28a-K-10 陽電子消滅法によるSi中の複原子空孔の研究
• 29a-RC-6 シリコンの格子振動と正孔の相互作用 : Fano効果
• 4p-Z-6 変形したInP中の陽電子消滅
• 2p-T-5 シリコン結晶中の転位の不純物による固着
• 18M-7 Al-Ag合金の時効と塑性 II
• 12p-S-10 Si結晶中の酸素による転位の固着
• 2p-NJ-7 変形中のシリコンにおけるFaulted Dipoleの形成
• 4p-P-2 HVEM観察によるSi中の転位特性
• 31p-BB-13 高温におけるSi中の転位の動的挙動のその場観察
• 4a-N-4 変形したGeの熱伝導度
• 2p-G-4 Si中の転位による光伝導効果
• 5p-K-11 ハロゲン架橋白金錯体における光誘起ESRの温度依存性
• カソードルミネッセンス観察装置用冷却系及び分光器ステージの試作
• 31a-E-6 SiGe混晶中の金及び鉄のエネルギーレベル
• 3p-M-5 Si-Ge混晶中の深い不純物レベル
• 3p-M-4 変形したシリコン・ゲルマニウム混晶のフォトルミネッセンス
• 12a-L-10 変形を受けたInSb単結晶の内部摩擦
• 5p-N-8 変形を受けたInSb単結晶の低温における内部摩擦
• 11p-Q-12 変形を受けたGe単結晶の内部摩擦
• Cu薄膜結晶の塑性III(格子欠陥)
• 7a-M-7 MgOの高温強度の異常と転位の易動度
• 2p-F-12 Si中の新しい熱ドナーの光学的性質
• 24a-T-5 シリコン中の熱ドナー及び断熱ドナー形成過程
• 4p-KM-4 InSb結晶の変形挙動の極性(III)
• 29a-H-10 塑性変形したP-SiのDLTS測定
• 2p-T-4 塑性変形したp型SiのHall効果
• 2a-C-12 変形したn-type Siの磁気抵抗効果
• 30p-J-7 Si中の転位の電気的性質
• 3a-NJ-9 転位速度に対する不純物の影響
• 2a-C-10 転位芯近傍の格子振動
• Cu薄膜結晶の塑性 II : 格子欠陥
• 11p-Q-3 塑性変形の定常状態の性質
• 7a-M-5 Siの塑性変形の転位動力学
• 双晶を含む結晶の機械的挙動 : 格子欠陥
• 31p-F-5 塑性変形及び電子線照射したInPの工学的性質 (II)
• 23a-L-6 InSb結晶の変形挙動の極性 II
• 23a-L-5 InSb結晶の変形挙動の極性 I
• 13a-L-9 InSbの変形挙動と転位動力学
• 7p-M-11 ゲルマニウム単結晶中の60゜転位の易動度
• 2p-T-3 変形したシリコンのフォトルミネッセンス(III) : 応力依存性
• 24a-T-6 砒化ガリウム中のドナー・アクセプター対による発光
• 2p-Z-8 熱処理したシリコン添加砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
• 2p-F-13 Siを添加したGaAsのフォトルミネッセンス
• 12a-L-11 変形中の結晶における転位の運動状態 II
• 27p-K-4 砒化ガリウム中のEL2の消滅、生成
• 29a-RC-12 熱処理した砒化ガリウムの光吸収
• シリコン結晶中の転位の挙動
• 1p-M2-2 砒化ガリウム中のEL2生成過程(格子欠陥)
• 1a-D4-7 塑性変形したガリウムヒ素結晶のDLTS(1a D4 格子欠陥,格子欠陥)
• 1p-Q-10 Si中原子空孔クラスターの陽電子消滅2次元角相関(1pQ 金属,金属)
• 31p-T-6 塑性変形及び電子線照射したInPの光学的性質(31pT 格子欠陥)
• 31p-FA-8 過飽和に酸素を含むシリコン中の塑性変形ドナー(31p FA 格子欠陥)
• 30a-LG-5 シリコン中の窒素-酸素複合体形成過程(格子欠陥)
• 31a-P-2 ハロゲン架橋擬一次元白金錯体のESRとキンク構造(31aP 分子性結晶・液晶・有機半導体(白金錯体他))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク