5p-K-11 ハロゲン架橋白金錯体における光誘起ESRの温度依存性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1990-09-12
著者
-
末沢 正志
東北大金研
-
酒井 政道
東北大金研
-
酒井 政道
東北大・金研
-
酒井 政道
東北大、金研
-
仁科 雄一郎
東北大、金研
-
黒田 則敬
東北大、金研
-
末沢 正志
東北大、金研
-
角野 浩二
東北大、金研
関連論文
- 29a-RC-4 窒素及び酸素を添加したシリコンの光吸収
- 30a-H-6 塩素架橋白金錯体の結晶構造欠陥
- 1p-F-7 MOCVD法によって作成したn型GaAsにおけるフォトリフレクタンススペクトルの温度依存性とキャリヤ散乱機構
- 30p-X-13 GaAs及びAl_xGa_Asにおけるフォトリフレクタンス強度の温度依存性と電子輸送
- 3p-YA-9 [Pt(en)_2][Pt(en)_2I_2](ClO_4)_4の基礎吸収端の静水圧依存性
- 28p-P-11 変形したシリコン結晶中からのD-バンド発光と遷移金属汚染
- 14a-A-5 電子線照射により原子複空孔を導入したSiの陽電子消滅2次元角相関
- 13a-DK-6 Si中の電子線照射誘起欠陥の焼鈍挙動 : 陽電子寿命測定法による分析
- 12p-DK-2 シリコン中の転位とDバンド発光
- 1a-X-7 電子線照射によって生じたシリコン中原子複空孔の陽電子捕獲
- 27a-ZD-12 擬一次元白金錯体の準安定光誘起吸収
- 28a-G-1 擬一次元白金錯体における光誘起吸収バンドの温度依存性
- 29p-ZF-2 擬一次元白金錯体における光誘起吸収の顕微分及び画像解析II
- 25a-Z-10 擬一次元白金錯体における光誘起吸収の顕微分光及び画像解析
- 29p-YF-12 NiAs型Fe-S系化合物における高圧下のメスバウアー分光
- 31pYG-1 陽電子消滅 2 次元角相関法による Si 中性複空孔のヤン・テラー効果の研究
- 5a-F-7 反変調ドーブGaAs/AlGaAs量子井戸における障壁層のフォトリフレクタンスII
- 28p-K-9 反変調ドープGaAs/AlGaAs量子井戸における障壁層のフォトリフレクタンス
- 29pYC-7 水素添加シリコン中の3d遷移金属不純物
- 27p-H-8 Si中の複原子空孔の陽電子消滅法を用いた研究
- 27a-ZN-4 塑性変形した半導体の陽電子消滅
- 28a-K-10 陽電子消滅法によるSi中の複原子空孔の研究
- 29a-RC-6 シリコンの格子振動と正孔の相互作用 : Fano効果
- 4p-Z-6 変形したInP中の陽電子消滅
- 28p-YM-2 擬一次元白金錯体[Pt(en)_2][Pt(en)_2Cl_2](BF_4)_4の光誘起ミッドギャップ吸収
- 27a-E-16 ハロゲン架橋型一次元白金錯体における偏光光吸収スペクトルの静水圧依存性
- 28a-YM-13 GaAsにおけるフォトリフレクタンスと高電界中の電子輸送
- 29p-M-12 〓一次元白金錯体のKバンドESR
- 27a-ZD-11 硫酸塩白金錯体の高圧光吸収
- 28a-C-6 白金錯体の圧力誘起連続相転移
- 28a-ZF-4 アセトアニリド結晶における自己束縛フォノン
- 30a-H-7 擬一次元白金錯体の圧力誘起連続相転移-実験
- 26a-ZA-4 低温高圧下におけるアセトアニリドのラマン散乱
- ハロゲン架橋白金錯体のソリトン(圧力効果)(物性研短期研究会報告「一次相転移に伴うメゾスコピック構造の形成とそのダイナミックス」,研究会報告)
- 5p-K-11 ハロゲン架橋白金錯体における光誘起ESRの温度依存性
- 5p-K-10 低温高圧下におけるハロゲン架橋白金錯体中の配位子のラマン錯乱
- 光照射した擬一次元白金錯体のESR(II 平成元年度研究会報告,超強磁場による電子制御の研究,科研費研究会報告)
- カソードルミネッセンス観察装置用冷却系及び分光器ステージの試作
- 31a-E-6 SiGe混晶中の金及び鉄のエネルギーレベル
- 3p-M-5 Si-Ge混晶中の深い不純物レベル
- 3p-M-4 変形したシリコン・ゲルマニウム混晶のフォトルミネッセンス
- 5p-L-9 強結合白金錯体系のソリトンとポーラロン
- 11p-E-9 GaSeの高圧ラマン散乱
- 2p-F-12 Si中の新しい熱ドナーの光学的性質
- 24a-T-5 シリコン中の熱ドナー及び断熱ドナー形成過程
- 6a-C3-2 ハロゲン架橋白金錯体の静水高圧下における光誘起吸収
- 3a KH-3 Mn-Tutton塩のT_K近傍での熱伝導度
- 4a-B-8 GaSe_S_xのフォノンスペクトル
- 29p-PS-7 電解めっき過程のSTM
- 31a-P-8 擬一次元白金錯体中の配位子のラマン散乱
- 5p-L-8 擬一次元白金錯体における配位子の高圧ラマン散乱
- 27a-D-7 ハロゲン架橋型白金錯体混晶の光吸収とラマンスペクトルに対する静水圧効果
- 3a-A-19 γ相ZnCl_2における層間相互作用とその圧力依存性
- 5a-TC-7 ZnCl_2におけるラマン散乱とX線回折の圧力依存性
- 4a-KG-5 ZnCl_2の高圧ラマン散乱
- 14a-S-4 ZnCl_2単結晶のラマン散乱
- 31p-F-5 塑性変形及び電子線照射したInPの工学的性質 (II)
- 2p-T-3 変形したシリコンのフォトルミネッセンス(III) : 応力依存性
- 24a-T-6 砒化ガリウム中のドナー・アクセプター対による発光
- 2p-Z-8 熱処理したシリコン添加砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
- 2p-F-13 Siを添加したGaAsのフォトルミネッセンス
- 27p-K-4 砒化ガリウム中のEL2の消滅、生成
- 29a-RC-12 熱処理した砒化ガリウムの光吸収
- 27a-LD-9 SbCl_5-GIC(ステージ2)の面内構造変化II(半導体)
- 27p-JB-8 ハロゲン架橋型白金錯体[Pt(en)_2][Pt(en)_2I_2](C10_4)_4とウォルフラム赤色塩の吸収帯に対する圧力効果(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 1aC-5 塩素架橋型白金錯体のソリトン-パンド間光吸収と1次元パンドモデル(イオン結晶・光物性)
- 1p-M2-2 砒化ガリウム中のEL2生成過程(格子欠陥)
- 1a-E1-5 ハロゲン架橋錯体における電荷移動励起子吸収帯の圧力依存性(1a E1 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
- 30a-FB-8 SiCの高圧ラマン散乱I(30a FB 半導体(光物性・深い不純物・輸送現象・ホットエレクトロン))
- 31a-PS-4 Bond Orbital ModelによるHgI_2型層状化合物の結合角と有効電荷の解析(31a PS イオン結晶・光物性ポスターセッション(低次元・層状物質・有機物),イオン結晶・光物性)
- 1a-D4-7 塑性変形したガリウムヒ素結晶のDLTS(1a D4 格子欠陥,格子欠陥)
- 31p-T-6 塑性変形及び電子線照射したInPの光学的性質(31pT 格子欠陥)
- 31p-FA-8 過飽和に酸素を含むシリコン中の塑性変形ドナー(31p FA 格子欠陥)
- 30a-LG-5 シリコン中の窒素-酸素複合体形成過程(格子欠陥)
- 30p-K-10 ハロゲン架橋型白金錯体の低温高圧下におけるラマン散乱と光吸収(30pK イオン結晶・光物性)
- 31a-P-2 ハロゲン架橋擬一次元白金錯体のESRとキンク構造(31aP 分子性結晶・液晶・有機半導体(白金錯体他))